Autor:Jiří Gregor Předmět/vzdělávací oblast: Digitální technika Tematická oblast:Digitální technika Téma:Paměti – dělení podle činnosti paměťové buňky Ročník:3. Datum vytvoření:září 2013 Název:VY_32_INOVACE_ ELE Anotace: Vysvětlení rozdělení pamětí podle kritéria principu činnosti paměťové buňky. Prezentace je určena pro přípravu žáků oboru Mechanik elektrotechnik. Využitím grafických možností sady Microsoft Office 2010 se materiál stává inovativním zejména názorností výkladu, který vede žáka krok za krokem ke správnému řešení. Interaktivní prezentační prvky, animace a bohaté ilustrační příklady napomáhají lepšímu pochopení tématu a usnadňují rozvoj odborných znalostí a dovedností žáků. Metodický pokyn: Materiál primárně slouží pro výklad v hodině, ale díky své názornosti může být využit i k samostudiu a pro distanční formu vzdělávání. Otázky na konci tématu ověřují, jak žáci danou problematiku zvládli, a po vytištění je lze použít i jako samostatný test. Materiál vyžaduje použití multimediálních prostředků – PC, dataprojektoru. Využitím interaktivní tabule je možné zvýšit jeho interaktivitu.

DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY  Paměťová buňka je základní jednotkou paměťového obvodu, protože je v ní uložena základní informační jednotka - 1 bit.  Podle principu činnosti paměťové buňky dělíme paměti na statické statické, dynamické dynamické, a buňky pevných pamětí pamětí.

DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY PAMĚTI DYNAMICKÉSTATICKÉ PEVNÉ PROGRAMOVATELNÉ

DĚLENÍ PODLE PRINCIPU ČINNOSTI PAMĚŤOVÉ BUŇKY Statické Paměťová buňka statických RWM-RAM polovodičových pamětí je tvořena bistabilním klopným obvodem. Složitost klopného obvodu závisí na použité technologii. Statické paměti RWM-RAM se značí zkratkou SRAM (Static R RR RAM).

Dynamické Dynamické RWM-RAM paměti pro čtení a zápis mají základní paměťovou buňku tvořenou MOS tranzistorem. Informace je v každé buňce uložena ve formě náboje v kapacitoru tvořeném elektrodami tranzistoru MOS. Aby se náboj v kapacitoru (kapacita menší než 1 pF) udržel, je třeba ho pravidelně obnovovat (Refresh). Dynamické paměti RWM-RAM se značí zkratkou D DD DRAM (Dynamic R RR RAM).

Pevné programovatelné Pevné programovatelné paměti PROM, EPROM a EEPROM uchovávají informaci v různých typech paměťových buněk. U pamětí P PP PROM spočívá programování v přepálení tavných spojek nebo polovodičových diod v paměťových buňkách (nevratné změny), tím se trvale změní jejich logická hodnota. Paměti E EE EPROM a E EE EEPROM používají paměťovou buňku se strukturou MOS tranzistorů s plovoucím hradlem.

Kontrolní otázky Co je paměťová buňka? Jak dělíme paměti podle principu činnosti paměťové buňky? Popište paměťové buňky a jejich činnost s označením SRAM. Čím je tvořena paměťová buňka paměti s označením DRAM. Popište činnost paměťové buňky s označením DRAM. Popište programování pamětí PROM na rozdíl od EPROM a EEPROM z hlediska principu paměťových buněk.

Použité zdroje: ANTOŠOVÁ, Marcela a Vratislav DAVÍDEK. Číslicová technika. 3. vyd. České Budějovice: Kopp, 2008, 286 s. ISBN Autorem všech částí tohoto učebního materiálu, není-li uvedeno jinak, je Jiří Gregor.