Autor:Jiří Gregor Předmět/vzdělávací oblast: Digitální technika Tematická oblast:Digitální technika Téma:Paměti – dělení podle technologie 1 Ročník:3.

Prezentace na téma: "Autor:Jiří Gregor Předmět/vzdělávací oblast: Digitální technika Tematická oblast:Digitální technika Téma:Paměti – dělení podle technologie 1 Ročník:3."— Transkript prezentace:

1 Autor:Jiří Gregor Předmět/vzdělávací oblast: Digitální technika Tematická oblast:Digitální technika Téma:Paměti – dělení podle technologie 1 Ročník:3. Datum vytvoření:září 2013 Název:VY_32_INOVACE_12.1.13.ELE Anotace: Vysvětlení rozdělení pamětí podle kritéria technologie výroby – bipolární a unipolární. Prezentace je určena pro přípravu žáků oboru Mechanik elektrotechnik. Využitím grafických možností sady Microsoft Office 2010 se materiál stává inovativním zejména názorností výkladu, který vede žáka krok za krokem ke správnému řešení. Interaktivní prezentační prvky, animace a bohaté ilustrační příklady napomáhají lepšímu pochopení tématu a usnadňují rozvoj odborných znalostí a dovedností žáků. Metodický pokyn: Materiál primárně slouží pro výklad v hodině, ale díky své názornosti může být využit i k samostudiu a pro distanční formu vzdělávání. Otázky na konci tématu ověřují, jak žáci danou problematiku zvládli, a po vytištění je lze použít i jako samostatný test. Materiál vyžaduje použití multimediálních prostředků – PC, dataprojektoru. Využitím interaktivní tabule je možné zvýšit jeho interaktivitu.

2 DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE Paměťové buňky se vyrábějí různými technologiemi, na kterých závisí jejich vlastnosti. PAMĚTI UNIPOLÁRNÍBIPOLÁRNÍ

3 1. Polovodičové paměti vyráběné bipolární technologií. 2. Polovodičové paměti vyráběné unipolární technologií

4 DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE Bipolární technologie Vyznačuje se tím, že používá ke konstrukci paměťové buňky bipolární tranzistory. Paměťové buňky jsou tvořeny obvody T TT TTL (Transistor T TT Transistor L LL Logic – Tranzisorově tranzistorová logika ) nebo E EE ECL (Emitter Coupled L LL Logic - Emitorově vázaná logika).

5 BIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE Paměti zhotovené touto technologií jsou velmi rychlé rychlé, ale ve srovnání s unipolární technologií potřebují mnohem větší příkon příkon. Nedovolují dosáhnout většího stupně integrace, proto mají menší kapacitu než paměti unipolární, používají se proto pro speciální malé, ale velmi rychlé paměti, např. vyrovnávací (cache) paměti.

6 UNIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE Unipolární technologie má mnoho předností. Paměťové buňky jsou tvořeny unipolárními tranzistory M MM MOS (Metal O OO Oxid S SS Semiconductor ). S touto technologií lze dosáhnout vysokého a velmi vysokého stupně integrace (obvody LSI a VLSI). V unipolární technologii polovodičových pamětí existuje u různých výrobců mnoho odlišností. Výrobci modifikují tři základní kategorie technologií s MOS tranzistory: P-MOS, technologie s p kanálem N-MOS, technologie s n kanálem CMOS, technologie s komplementárními tranzistory s p i n kanálem

7 Technologií C CC CMOS lze docilovat velmi vysokého stupně integrace a rychlosti přístupu se blíží bipolárním technologiím. Integrované obvody CMOS jsou konstruovány z dvojice komplementárních tranzistorů řízených polem M MM MOSFET s indukovaným kanálem. Jeden z této dvojice je MOSFET s p pp p -kanálem a druhý s n nn n - kanálem. Základním stavebním blokem složitějších obvodů v technologii CMOS je i ii invertor.

8 Kontrolní otázky Jak rozdělujeme paměti podle typu použité technologie? Popište bipolární technologii paměťových buněk. Popište unipolární technologii paměťových buněk. Které varianty základní kategorie technologií s MOS tranzistory modifikují výrobci? Co znamená zkratka CMOS? Co je základním stavebním blokem složitějších obvodů v technologii CMOS?

9 Použité zdroje: ANTOŠOVÁ, Marcela a Vratislav DAVÍDEK. Číslicová technika. 3. vyd. České Budějovice: Kopp, 2008, 286 s. ISBN 978-80-7232-333-3. Autorem všech částí tohoto učebního materiálu, není-li uvedeno jinak, je Jiří Gregor.