Autor:Jiří Gregor Předmět/vzdělávací oblast: Digitální technika Tematická oblast:Digitální technika Téma:Dynamické paměti RWM – RAM 1. část Ročník:3. Datum vytvoření:září 2013 Název:VY_32_INOVACE_ ELE Anotace: Popis činnosti pamětí pro čtení a zápis dynamických RWM - RAM. Prezentace je určena pro přípravu žáků oboru Mechanik elektrotechnik. Využitím grafických možností sady Microsoft Office 2010 se materiál stává inovativním zejména názorností výkladu, který vede žáka krok za krokem ke správnému řešení. Interaktivní prezentační prvky, animace a bohaté ilustrační příklady napomáhají lepšímu pochopení tématu a usnadňují rozvoj odborných znalostí a dovedností žáků. Metodický pokyn: Materiál primárně slouží pro výklad v hodině, ale díky své názornosti může být využit i k samostudiu a pro distanční formu vzdělávání. Otázky na konci tématu ověřují, jak žáci danou problematiku zvládli, a po vytištění je lze použít i jako samostatný test. Materiál vyžaduje použití multimediálních prostředků – PC, dataprojektoru. Využitím interaktivní tabule je možné zvýšit jeho interaktivitu.

DYNAMICKÉ PAMĚTI RWM Paměťové buňky jsou konstruovány především technologií CMOS. Jsou používány parazitní kapacitory mezi hradlem (gatem) a kolektorem (drainem) MOSFET tranzistoru. Paměťová buňka je tvořena jedním tranzistorem a nositelem informace je elektrický náboj. Ten se však udrží v paměťovém kapacitoru jen krátkou dobu, takže musí být v pravidelných intervalech 2 až 8 ms obnovován. Této operaci se říká obnovení paměti nebo refreshing refreshing.

DYNAMICKÉ PAMĚTI RWM Nevýhoda pravidelného obnovování je vyvážena některými výhodami. Dynamické paměti disponují několikanásobně vyšší kapacitou při stejném napájecím proudu, stejném počtu vývodů a stejných nákladech ve srovnání s pamětmi statickými. Z důvodu úspory počtu vývodů pouzdra se vkládá adresa z vnější adresové sběrnice do vnitřních registrů paměti ve dvou krocích krocích.

DYNAMICKÉ PAMĚTI RWM blokové schéma

DYNAMICKÉ PAMĚTI RWM V prvním kroku jsou adresové bity A0 A0 až A8 A8 uloženy do registru řádkové adresy signálem RAS R (Row A Address S Strobe) a současně bit A9 A9 je uložen do registru adresy sloupce.

DYNAMICKÉ PAMĚTI RWM

V prvním kroku jsou adresové bity A0 A0 až A8 A8 uloženy do registru řádkové adresy signálem RAS R (Row A Address S Strobe) a současně bit A9 A9 je uložen do registru adresy sloupce. V druhém kroku jsou bity A 10 až A 19 uloženy do registru sloupcové adresy pomocí signálu CAS C (Column A Addres S Strobe).

DYNAMICKÉ PAMĚTI RWM V prvním kroku jsou adresové bity A0 A0 až A8 A8 uloženy do registru řádkové adresy signálem RAS R (Row A Address S Strobe) a současně bit A9 A9 je uložen do registru adresy sloupce. V druhém kroku jsou bity A 10 až A 19 uloženy do registru sloupcové adresy pomocí signálu CAS C (Column A Addres S Strobe). Paměťová matice má tedy 512 řádkových adres a 2048 sloupcových adres.

DYNAMICKÉ PAMĚTI RWM

V prvním kroku jsou adresové bity A0 A0 až A8 A8 uloženy do registru řádkové adresy signálem RAS R (Row A Address S Strobe) a současně bit A9 A9 je uložen do registru adresy sloupce. V druhém kroku jsou bity A 10 až A 19 uloženy do registru sloupcové adresy pomocí signálu CAS C (Column A Addres S Strobe). Paměťová matice má tedy 512 řádkových adres a 2048 sloupcových adres. Dvoustupňové ukládání adresy umožňuje realizovat 1 Mbitovou paměť pouze s 18 vývody.

Kontrolní otázky 1. Jakou technologií jsou paměťové buňky dynamické paměti RWM především konstruovány a na jakém principu jsou data zapisována, uchována a čtena? 2. Čím je paměťová buňka tvořena a co je nositelem informace? 3. Co je refreshing? 4. Jaké výhody vyvažují nevýhody refreshingu? 5. Popište vkládání adresy z vnější adresové sběrnice do vnitřních registrů paměti v jednotlivých krocích. 6. S kolika vývody umožňuje ukládání adresy realizovat 1Mbitovou paměť ?

Použité zdroje: ANTOŠOVÁ, Marcela a Vratislav DAVÍDEK. Číslicová technika. 3. vyd. České Budějovice: Kopp, 2008, 286 s. ISBN Autorem všech částí tohoto učebního materiálu, není-li uvedeno jinak, je Jiří Gregor.