Vlastní vodivost
Shockleyho model
Závislost odporu na teplotě
Vodivost N
Model
Vodivost P
Model
Přechod PN: polovodičová dioda
Přechod PN
Přechod PN
Přechod PN
VA charakteristika diody
1. Usměrňování Hrotová dioda Plošná dioda
Usměrňování Jednocestné Dvojcestné – Grätzův můstek
2. stabilizace obvodů – Zenerova dioda
Stabilizace obvodů Zenerova dioda
3. Řízení odporu Dioda PIN
3. Řízení odporu Dioda PIN Užívá se v oblasti centimetrových vln jako řízený odpor nebo spínač. Skládá se ze dvou silně legovaných oblastí P+ a N+ a oblasti vlastního (intrinzického) polovodiče I. Pro funkci diody je rozhodující vlastnost vrstvy I. Přiloží-li se na PIN diodu napětí v přímém směru, dojde k injekci nosičů do obou konců oblasti I a její odpor se zmenšuje v závislosti na procházejícím proudu. Vzhledem ke značné časové konstantě rekombinace (asi 1 μs) a velké době potřebné k extrakci těchto nosičů z vrstvy I nestačí se při vyšších kmitočtech oblast I vyprázdnit v průběhu záporné půlperiody. Proto se při harmonickém průběhu vf. napětí ustálí střední hodnota nosičů v oblasti I a dioda z vysokofrekvenčního hlediska představuje nízkou impedanci, ve velkém rozsahu nezávislou na přenášeném výkonu. Při závěrně polarizované PIN diodě dojde k odčerpání náboje z objemu vrstvy I a vytvoří se oblast prostorového náboje (tloušťka závisí na přiloženém napětí). Dioda se chová jako kondenzátor, jehož hodnota klesá. Přivedeme-li vf. napětí, nestačí se vrstva I v průběhu kladné půlperiody zaplnit nosiči a dioda vykazuje vysokou impedanci s malou závislostí na přivedeném výkonu.
4. Diody s optickými vlastnostmi LED dioda
4. Diody s optickými vlastnostmi Fotodioda
Bipolární tranzistor
Bipolární tranzistor Střední část krystalu je báze B a přechody PN ji oddělují od oblastí s opačným typem vodivosti – kolektoru C a emitoru E. V praxi bývá plocha kolektoru podstatně větší, než plocha emitoru, dotace emitoru příměsemi bývá vyšší a dotace kolektoru nižší.
Zapojení se společnou bází
Zapojení se společnou bází
Zapojení se společným emitorem
Unipolární tranzistor (řízený polem) MOSFET (metal-oxid-semiconductor-field-effect-transistor)
Unipolární tranzistor (řízený polem) MOSFET (metal-oxid-semiconductor-field-effect-transistor)
Tyristor