Flash paměti Martin Krynický Gymnázium, Třeboň
Flash paměti Nejpoužívanější paměťové médium (flashky, paměťové karty, SSD disky) Výhody: levné, rychlé, odolné (mechnické poškození, mag. pole) Nevýhoda: omezený počet přepisů
klasický MOSFET tranzistor rozepnutý (proud neprochází) sepnutý (na G je kladné napětí, proud prochází)
Floating-gate MOSFET FG bez náboje (logická 1, proud prochází) FG s nábojem (logická 0, proud neprochází)
Zapisování dat Write (z 1 na 0, přivádíme e do FG) Erase (z 0 na 1, odvádíme e z FG)
Další informace Množství informací v jedné buňce: SLC a MLC Spojování buněk: NOR a NAND Další součásti flash paměti: –řadič –zdroj napětí
Odpovědi Informace je uchov á v á na v Floating Gate, kter á je izolov á na vrstvou nevodiče, který neumožňuje přenesen é mu n á boji uniknout a tak smazat informaci. Izolační vrstva mezi tranzistorem a Floating Gate je neustále poškozována průchodem elektronů. Po určitém počtu přepisů se zcela zničí, Floating Gate přestane být izolována od okolí a přestane uchovávat informaci (náboj z ní může volně uniknout).
Otázky Bylo by možn é jednodu š e sestrojit paměťovou buňku s obr á cenými typy polovodičů? Porovnej tlou š ťku izolantu mezi tranzistorem a FG a mezi FG a CG. Kter á z nich mus í být tlust ší ? Proč? V čem jsou obr á zky paměťových buněk nepřesn é ?