Tato prezentace byla vytvořena

Slides:



Advertisements
Podobné prezentace
Projekt Anglicky v odborných předmětech, CZ.1.07/1.3.09/
Advertisements

Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
17BBTEL Cvičení 4.
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Struktura bipolárního tranzistoru opakování z přednášek
rtinzartos Napište slova, která obsahují uvedená písmena.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Vlastní vodivost.
Bipolární tranzistor.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Dvojčinné výkonové zesilovače
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Čtvrté laboratorní cvičení
Tato prezentace byla vytvořena
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/ Číslo materiálu
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Elektronické zesilovače
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Ing. Jaroslav Chlubný. 1 STRUKTURA NAPÁJENÍ A PROUDY TRANZISTORU ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ TRANZISTORU TYPY A PARAMETRY Bipolární tranzistor.
Základní zapojení usměrňovačů OB21-OP-EL-ELN-NEL-M
Tranzistory Elektronika 1 rtinzartos Napište slova, která obsahují uvedená písmena. Každé písmeno můžete ve slově použít jen tolikrát, kolikrát se vyskytuje.
Tranzistory Tranzistor je třívrstvá polovodičová součástka u které se střídají přechody PN. Podle uspořádání přechodů mohou být tranzis- tory buď NPN nebo.
Fyzikální podstata tranzistorů OB21-OP-EL-ELN-NEL-M
Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám
Optické spojovací členy
Název projektu: Moderní výuka s využitím ICT
Tato prezentace byla vytvořena
Pracovní třídy zesilovačů
Odborný výcvik ve 3. tisíciletí
Tato prezentace byla vytvořena
rozhlasových přijímačů
Digitální učební materiál
Transkript prezentace:

Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu Orbis pictus 21. století

Tranzistorové polovodičové spínače OB21-OP-EL-ELN-NEL-M-2-020

Polovodičové spínače Výhody polovodičových spínačů: spínač je rychlejší, než mechanický spínač levný spolehlivý dlouhá životnost

Základní vlastnosti spínačů s FET Výhody: téměř dokonalé oddělení řídícího obvodu od spínacího umožňují spínání kladné i záporné polarity napětí neprojevuje se u nich nutnost zotavení přechodu odpor v sepnutém stavu řádově 1 až 100 Ω odpor v rozepnutém stavu řádově GΩ až TΩ

Základní vlastnosti spínačů s FET Nevýhody: při vyšších kmitočtech se projevuje vliv vnitřních kapacit ( pokles impedance uzavřeného FETu) Rychlost spínání je omezena vnitřními kapacitami tranzistoru

Spínač MOSFET UN RZ ID Uříd zátěž ID Uříd Tranzistor NJFET by byl plně otevřen při napětí na řídící elektrodě UGS=0V. K uzavření tranzistoru by došlo po přivedení napětí záporné polarity potřebné velikosti.

Spínací prvky IGBT (s bipolárním tranzistorem s izolovaným hradlem) Výhody: nízké ztráty vysoké spínací frekvence dostatečná proudová a napěťová zatížitelnost http://www04.abb.com/global/gad/gad02007.nsf/0/FDB2819E608B6B46C1257658004D8D7F/$File/HiPaks_SFC09_195.jpg

Tranzistor ve spínacím režimu v zapojení SE Tranzistor umožňuje tzv. bezkontaktní spínání zátěže. Zátěž zapojená v kolektorovém obvodu je spínána proudem, který přivedeme do báze. Tranzistor pracuje v režimu: Nevodivý režim Tranzistor představuje velký odpor Saturační režim Tranzistor představuje malý odpor Režim je určen úrovní dvouúrovňového signálu US , který přivedeme na vstup impulzního zesilovače.

Tranzistor ve spínacím režimu v zapojení SE Tranzistor umožňuje tzv. bezkontaktní spínání zátěže. UN RB US UBE=0 UCE=UN Uzat=0 IB=0 IC=0 Rzat Tranzistor jako spínač, US=0 Nevodivý režim Tranzistor představuje velký odpor

Tranzistor ve spínacím režimu v zapojení SE Tranzistor umožňuje tzv. bezkontaktní spínání zátěže. UN RB UBE UCE=Usat Uzat IB IC Rzat Uzat= UN - Usat US Tranzistor jako spínač US Saturační režim Tranzistor představuje malý odpor

Děkuji za pozornost Ing. Ludmila Nevařilová

Použitá literatura: Miloslav Bezděk: Elektronika I Jaroslav Doleček: Polovodičové prvky a elektronky