Investice do rozvoje vzdělávání Připraveno ve spolupráci s projektem NANOTEAM Budování výzkumných týmů a rozvoj univerzitního vzdělávání výzkumných odborníků pro mikro- a nanotechnologie (NANOTEAM) Reg. č. CZ.1.07/2.3/.00/09.0224 Senzor plynů založený na MEMS jazýčkovém rezonátoru Imrich Gablech 24.10.2014 Investice do rozvoje vzdělávání

Parameters of sputtering process Naprašování AlN Parameters of sputtering process SEM Samples RFP Flow(Ar) Flow(N2) BC BV AC AV EC EV Substrate heating [°C] Res2tw EDX (Al - N - C) EDX (Al - N - O - C) Al pure 1 78 3,7 0,0 0,043 900 0,002 180 50 3.5Ω 62,8 - 17,0 - 20,2 --- AlN 2 1,5 300 5.4Ω 61,0 - 18,2 - 20,8 AlN 3 2,5 4.2Ω 56,0 - 27,7 - 16,3 54,3 -23,9 - 6,5 - 15,3 AlN 4 3,5 15.2Ω 48,8 - 37,7 - 13,5 45,4 - 27,2 - 15,7 - 11,8 AlN 5 7,0 50MΩ 39,2 - 54,0 - 6,8 35,1 - 36,0 - 23,3 - 5,5 AlN 6 500Ω 45,1 - 49,4 - 5,6 42,3 - 42,7 - 9,7 - 5,2 AlN 7 500 35Ω 47,6 - 44,7 - 7,6 46,3 - 41,0 - 5,2 - 7,5 Al pure 8 5.7Ω 73,3 - 11,0 - 15,7 72,2 - 9,4 - 2,4 - 16,0

Parameters of sputtering process Naprašování AlN Parameters of sputtering process SEM Samples RFP Flow(Ar) Flow(N2) BC BV AC AV EC EV Substrate heating [°C] Res2tw EDX (Al - N - C) EDX (Al - N - O - C) Al pure 1 78 3,7 0,0 0,043 900 0,002 180 50 3.5Ω 62,8 - 17,0 - 20,2 --- AlN 2 1,5 300 5.4Ω 61,0 - 18,2 - 20,8 AlN 3 2,5 4.2Ω 56,0 - 27,7 - 16,3 54,3 - 23,9 - 6,5 - 15,3 AlN 4 3,5 15.2Ω 48,8 - 37,7 - 13,5 45,4 - 27,2 - 15,7 - 11,8 AlN 5 7,0 50MΩ 39,2 - 54,0 - 6,8 35,1 - 36,0 - 23,3 - 5,5 AlN 6 500Ω 45,1 - 49,4 - 5,6 42,3 - 42,7 - 9,7 - 5,2 AlN 7 500 35Ω 47,6 - 44,7 - 7,6 46,3 - 41,0 - 5,2 - 7,5 Al pure 8 5.7Ω 73,3 - 11,0 - 15,7 72,2 - 9,4 - 2,4 - 16,0

Naprašování AlN Neúspěšné opakování pokusu: Jak dál? „nový wafer“ se starším titanem (1. pokus – 300 nm) neznámá tloušťka SiO2 (1. pokus – 1,8 µm) neznámá krystalografická orientace (1. pokus - N-typ <100>) „otrávený target“ Jak dál? zkoumat dále změnu průtoku N2 (hodnoty okolo 7 ml/min) sledovat vliv teploty v rozmezí 250 – 350 °C při konstantním nastavení ostatních parametrů odprášit z targetu několik nm (případně µm) Al a opakovat celý postup od čistého Al -> postupné zvyšování průtoku N2 -> až k pátému vzorku

Investice do rozvoje vzdělávání KONEC Investice do rozvoje vzdělávání

Investice do rozvoje vzdělávání Poděkování: Budování výzkumných týmů a rozvoj univerzitního vzdělávání výzkumných odborníků pro mikro- a nanotechnologie (NANOTEAM) CZ.1.07/2.3/.00/09.0224 Investice do rozvoje vzdělávání