TRANZISTORY.

Slides:



Advertisements
Podobné prezentace
Gymnázium, Havířov-Město, Komenského 2, p.o
Advertisements

P N P E C Bipolární tranzistor w N
Transformátory (Učebnice strana 42 – 44)
Polovodičová dioda (Učebnice strana 66 – 70)
Tato prezentace byla vytvořena
Vedení elektrického proudu v látkách I
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 4. Vícevrstvé spínací součástky
PN přechod v el. poli.
Tato prezentace byla vytvořena
Princip polovodičové diody
POLOVODIČE.
Tato prezentace byla vytvořena
Jméno autora: Mgr. Zdeněk Chalupský Datum vytvoření:
Struktura bipolárního tranzistoru opakování z přednášek
rtinzartos Napište slova, která obsahují uvedená písmena.
MODEL DVOJBRANU - HYBRIDNÍ PARAMETRY
Bistabilní klopný obvod
Úloha č. 3: Nastavení pracovního bodu tranzistoru
Absolventská práce Základy elektroniky Autor: Jan Fučík Třída: 9.B Školní rok: 2010/2011 ZSZNCK©2011.
Polovodičová dioda Shockleyho rovnice: I = I0[exp(U/UT)-1]
MNAI –cvika3 Základní simulace s BJT
MODEL DVOJBRANU K K K U1 I1 U2 I2
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Výuková centra Projekt č. CZ.1.07/1.1.03/
Projekt Anglicky v odborných předmětech, CZ.1.07/1.3.09/
Elektromagnetické vlnění
IDENTIFIKÁTOR MATERIÁLU: EU
Vlastní vodivost.
Tranzistor je polovodičová součástka se dvěma přechody P-N.
Bipolární tranzistor.
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/ Číslo materiálu
Název a adresa školy: Střední odborné učiliště stavební, Opava, příspěvková organizace, Boženy Němcové 22/2309, Opava Název operačního programu:
TR2 - tranzistor NPN v zapojení SE, tranzistor jako spínač
POLOVODIČE Polovodič je látka, jehož elektrická vodivost závisí na vnějších nebo vnitřních podmínkách a dá se změnou těchto podmínek snadno ovlivnit. Příkladem.
Projekt Anglicky v odborných předmětech, CZ.1.07/1.3.09/
Nastavení a stabilizace pracovního bodu zesilovače
Použité zdroje a odkazy: AUTOR NEUVEDEN. Harrison Electronics [online]. [cit ]. Dostupný na WWW:
MODEL DVOJBRANU - ADMITANČNÍ PARAMETRY
Je dán dvojbran, jehož model máme sestavit. Předpokládejme, že ve zvoleném klidovém pracovním bodě P 0 =[U 1p ; I 1p ; U 2p ; I 2p ] jsou známy jeho diferenciální.
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Tato prezentace byla vytvořena
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/ Číslo a název šablony klíčové aktivity
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/ Číslo a název šablony klíčové aktivity
Tato prezentace byla vytvořena
Dvojčinné výkonové zesilovače
Výukový program: Mechanik - elektrotechnik Název programu: Odborný výcvik II. ročník Tranzistorový stupeň se SE Vypracoval: Bc. Chumchal Miroslav Projekt.
Tato prezentace byla vytvořena
Projekt Anglicky v odborných předmětech, CZ.1.07/1.3.09/
Tento materiál byl vytvořen jako učební dokument projektu inovace výuky v rámci OP Vzdělávání pro konkurenceschopnost VY_32_INOVACE_B3 – 06.
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/ Číslo materiálu
Elektronické zesilovače
Elektronické zesilovače
BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Ing. Jaroslav Chlubný. 1 STRUKTURA NAPÁJENÍ A PROUDY TRANZISTORU ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ TRANZISTORU TYPY A PARAMETRY Bipolární tranzistor.
 ČÍSLO PROJEKTU: 1.4 OP VK  NÁZEV: VY_32_INOVACE_01  AUTOR: Mgr., Bc. Daniela Kalistová  OBDOBÍ:  ROČNÍK: 9  VZDĚLÁVACÍ OBLAST: Člověk a.
ELEKTROTECHNOLOGIE TECHNICKY VYUŽÍVANÉ JEVY V POLOVODIČÍCH.
ELEKTRONIKA Bipolární tranzistor. Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/ Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT.
Uvedení autoři, není-li uvedeno jinak, jsou autory tohoto výukového materiálu a všech jeho částí. Tento projekt je spolufinancován ESF a státním rozpočtem.
Tranzistory Elektronika 1 rtinzartos Napište slova, která obsahují uvedená písmena. Každé písmeno můžete ve slově použít jen tolikrát, kolikrát se vyskytuje.
Tranzistory Tranzistor je třívrstvá polovodičová součástka u které se střídají přechody PN. Podle uspořádání přechodů mohou být tranzis- tory buď NPN nebo.
Fyzikální podstata tranzistorů OB21-OP-EL-ELN-NEL-M
TECHNOLOGIE POLOVODIČŮ TECHNOLOGIE VÝROBY TRANZISTORŮ A JEJÍ VLIV NA PARAMETRY.
Tato prezentace byla vytvořena
NÁZEV ŠKOLY: S0Š Net Office, spol. s r.o, Orlová Lutyně
Digitální učební materiál
DIODOVÝ JEV.
TRANZISTOROVÝ JEV.
Elektronika – POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY
Transkript prezentace:

TRANZISTORY

STRUKTURA PRVNÍHO TRANZISTORU V ROCE 1956 OBDRŽELI J.BARDEEN, W.H.BRATTAIN A W.SHOCKLEY ZA OBJEV TRANZISTOROVÉHO JEVU A VÝZKUM POLOVODIČŮ NOBELOVU CENU

BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR PNP NPN C B E C B E N P N P N C B E C B E E C B UEC = UEB + UBC BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR E C B UCE = UBE + UCB C B E PNP NPN C B E IE IC UBC UEB ELEKTRON N P N P N C B E C B E IE IC UBC UEB IB DÍRA

PRINCIP TRANZISTORU IE = IB + IC + - + - MALÝ PROUD TEKOUCÍ OBVODEM BÁZE - EMITOR DOPROVÁZÍ VELKÝ PROUD V OBVODU KOLEKTOR - EMITOR IE = IB + IC Ic + - UCB IB B C E + - IE UBE BÁZE JE EXTRÉMNĚ TENKÁ - cca 0,01 mm

POPIS TRANZISTOROVÉHO JEVU Po připojení báze k malému kladnému napětí, přechod B-E se otevírá, protože je takto polarizován v propustném směru a zaplaví ho volné nosiče náboje. Pak ovšem elektrony, jakmile přejdou přes první přechod do prostoru báze, jsou kladným napětím kolektoru protaženy napříč tenkou bází a vtaženy přes přechod C-B ke kolektoru. Přitom část nosičů, i když jen v nepatrné míře odbočí a odteče obvodem báze. Tak vzniká proud báze IB. IE = IB + IC IE =  IB +  IC

MALÝ PROUD TEKOUCÍ OBVODEM BÁZE - EMITOR DOPROVÁZÍ VELKÝ PROUD V OBVODU KOLEKTOR - EMITOR

SIMULACE PRINCIPU TRANZISTORU B C IB =0,05mA UBE =0,1V IK =1,5mA N P C E B E

SIMULACE PRINCIPU TRANZISTORU B C IK =4,0mA N P C E B IB =0,15mA E UBE =0,2V

NEJJEDNODUŠŠÍ ZAPOJENÍ BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU 25k Neprochází-li obvodem C-E proud, na kolektoru je plné napětí zdroje. Se vzrůstajícím kolektorovým proudem napětí na kolektoru klesá. Prochází-li obvodem C-E největší proud, napětí na kolektoru je nejmenší. 4k7 6V/0,1A Když napětí na bázi dostoupí přibližně 0,7 V proti emitoru, začne bází procházet proud a současně teče kolektorový proud.

POZNÁMKA POZOR : Zvětší-li se z nějakých důvodů proud v obvodu C-E (např. nadměrným zatížením), zakonitě se zvětší i proud v obvodu B-E.

ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ TRANZISTORU SE SC VSTUP VÝSTUP VÝSTUP SB VSTUP VÝSTUP VSTUP RVST = malý RVÝST = velký U zes. = velké I zes. = velké P zes. = zn.velké RVST = zn.malý RVÝST = velmi velký U zes. = zn.velké I zes. = menší než 1 P zes. = malé až střední RVST = velmi velký RVÝST = velmi malý U zes. = menší než 1 I zes. = velké P zes. = malé až stř.

PRAKTICKÉ POUŽITÍ SE SC VÝSTUP SB VSTUP DŘÍVE SE ZAPOJENÍ UPLATNILO VE VF OBVODECH - MALÝ RVST BYL PODMÍNKOU KE STABILNÍ ČINNOSTI VF ZESIL. V TÉTO PODOBĚ SE ZAPOJENÍ TÉMĚŘ NEPOUŽÍVÁ VSTUP NEJČASTĚJI POUŽÍVANÉ ZAPOJENÍ

URČENÍ PROUDOVÉHO ZESILOVACÍHO ČINITELE SE uA mA  IB, IB=0,002  IC, IC=-0,998mA + - UBE=0,7V UCE=7,7V  IE, IE=-1mA SC - + uA mA  IB, IB=0,002mA UCB=-7V UCE=-7,7V h21E =  IC UCE = konst. = -0,998 0,002 = -499  IB h21C =  IE  IB UEC= konst. = -1 0,002 = -500

URČENÍ PROUDOVÉHO ZESILOVACÍHO ČINITELE SB - + mA1 mA2 IE, IE IC, IC IB, IB UBE UCB UBE = 0,7V UCB = 7V IE = -1 mA IC = 0,998 mA h21B =  IC  IE UCB = konst. = 0,998 -1 = -0,998

ROZBOR VÝKONU PRO ZÁKLADNÍ ZPŮSOBY ZAPOJENÍ TRANZISTORU SB Výkon : ICUCB = - 9,98 IEUEB SE Výkon : ICUCE = 5,49*103 IBUBE SC Výkon : IEUEC = - 550 IBUBC

VA - CHARAKTERISTIKY A DIFERENCIÁLNÍ PARAMETRY

LINEARIZOVANÝ NÁHRADNÍ OBVOD NELINEÁRNÍHO DVOJBRANU S PARAMETRY y y12 u2 y11 i1 = y11 u1 + y12u2 i2 = y21 u1 + y22u2 u1 y22 y21 u1 u2 i1 i2

LINEARIZOVANÝ NÁHRADNÍ OBVOD NELINEÁRNÍHO DVOJBRANU S PARAMETRY y u1 = h11 i1 + h12u2 i2 = h21 i1 + h22u2 i2 i1 i2 i2 u1 h12 u2 h21 ui1 h22 u2

= = ZAPOJENÍ SE SPOLEČNOU BÁZÍ Ie m A mA Ic 10-20V 2V mV Ube Uce Rp1 VÝSTUPNÍ IE = konst. VSTUPNÍ VÝSTUPNÍ UBE = konst. IE mA IC mA IC mA -15 UCB 10 10 UBE -10 5 -5 5 IE 0,5 -1 10 20 UBE V UCB V UCB V

= ZAPOJENÍ SE SPOLEČNÝM EMITOREM Ib mV A mA Rp1 Ic Uce Rp2 10-20V Ube VÝSTUPNÍ IB = konst. VSTUPNÍ VÝSTUPNÍ UBE = konst. IB uA UCE=k IC mA IC mA 60 20 20 UBE 40 10 20 10 IB uA 0,5 1 10 20 UBE V UCE V UCE V

mV 1 = A V 2 mA Rp1 Ic Uce Rp2 10-20V Ib Ube 2V

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY