Paměti Paměti Obvody,jež umožňují uložení dat (přechodné,trvalé). Třídí se podle toho,zda umožňují zápis i čtení (RAM,DRAM,SRAM,)(Random Access Memory),

Slides:



Advertisements
Podobné prezentace
CIT Paměti Díl X.
Advertisements

PC základní jednotka.
Paměť v počítači.
Hard Disk Drive & jeho alternativy
Paměti Karel Brambora Martin Císař.
Paměť Počítač používá různé typy pamětí. Odlišují se svou funkcí, velikostí, rychlostí zápisu a čtení, schopností udržet data v paměti. Úkolem paměti je.
Digitální učební materiál
Autor:Jiří Gregor Předmět/vzdělávací oblast: Digitální technika Tematická oblast:Digitální technika Téma:Paměti – dělení podle činnosti paměťové buňky.
Automatizační technika
Polovodičové paměti Střední odborná škola Otrokovice
MIT Paměti Díl I leosjuranek.cz/mit. Paměti Téma: Paměti MIT Předmět: MIT 3 Ročník: 3 Juránek Leoš Ing. Autor: Juránek Leoš Ing Verze:
Tento výukový materiál vznikl v rámci Operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost 1. KŠPA Kladno, s. r. o., Holandská 2531, Kladno,
Projekt DIGIT – digitalizace výuky na ISŠTE Sokolov
Výukový program: Mechanik - elektrotechnik Název programu: Číslicová technika - mikroprocesory III. ročník Mikrořadiče Vypracoval : Vlastimil Vlček Projekt.
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
CZ.1.07/1.4.00/ VY_32_INOVACE_143_IT7 Výukový materiál zpracovaný v rámci projektu Vzdělávací oblast: Informační a komunikační technologie Předmět:Informatika.
Paměti RAM. 2 jsou určeny pro zápis i pro čtení dat. Jedná se o paměti, které jsou energeticky závislé. Z hlediska stavu informace v paměťové buňce jsou.
Záznamová média Obsah: Rozdělení ZM…………………… HDD………………………………
Paměti.
Vestavné mikropočítačové systémy xx. Týden – Paměti pro vestavné systémy.
Paměti Paměti Obvody,jež umožňují uložení dat (přechodné,trvalé). Třídí se podle toho,zda umožňují zápis i čtení (RAM,DRAM,SRAM,)(Random Access Memory),
Flash disk Je to polovodičová paměť EEPROM, která se dnes používá jako náhrada disket. Připojuje se pomocí sběrnice USB a může mít různou podobu. Obr.
David Rozlílek ME4B. Co jsou to paměti ? slouží k uložení programu, kteý řídí ? Slouží k ukládaní…..?.... a ……? operací v.
Jan Hrabal ME4B Paměťové obvody a vývoj mikroprocesoru.
Paměťové obvody a vývoj mikroprocesoru
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Jak pracuje počítač vstupní a výstupní zařízení počítače
= monolitický integrovaný obvod obsahující kompletní mikropočítač
Paměti.
Pamětové obvody a Vývoj mikroprocesorů
Obvody vysoké integrace © 2004, Martin Dobrovolný.
Obchodní akademie, Ostrava-Poruba, příspěvková organizace Vzdělávací materiál/DUM VY_32_INOVACE_02A14 Autor Ing. Jiří Kalousek Období vytvoření duben 2014.
DIGITÁLNÍ UČEBNÍ MATERIÁL Číslo projektuCZ.1.07/1.5.00/ Název projektuEU peníze středním školám Masarykova OA Jičín Název školyMASARYKOVA OBCHODNÍ.
Dominik Šutera ME4B.  ROM – paměť pro ……. Po odpojení napájení se obsah paměti …….
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
FPGA Actel – PLICE based Semestrální práce z předmětu AP Vypracoval: Zdeněk Suchomel
Provedení logických obvodů
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Vnitřní paměti a jejich rozdělení. 2 Vnitřní paměti jsou ty, které jsou umístěny na základní desce mikropočítače nebo počítače. Vnitřní paměti se vyrábějí.
Opáčko Co dělá procesor Co je to koprocesor Slot, patice
Roman Kysel.  Jaké jsou základní parametry pamětí ? ◦ Kapacita ◦ přístupová doba ◦ přístupová rychlost ◦ Statičnost/dynamičnost ◦ Energetická závislost.
Technické prostředky PLC OB21-OP-EL-AUT-KRA-M Ing. Petr Krajča.
Ondřej Šebesta. – Ka – Přístupová …... – přístupová rychlost – S /d – Energetická závislost – Přístup k paměti – Spolehlivost.
Autor:Jiří Gregor Předmět/vzdělávací oblast: Digitální technika Tematická oblast:Digitální technika Téma:Statické paměti RWM – RAM 1. část Ročník:3. Datum.
Informatika - Paměti, ROM, RAM akademický rok 2013/2014
1 Paměťový subsystém „640 kB ought to be enough for anybody.“ Bill Gates, 1981.
Paměťové obvody a vývoj mikroprocesorů Jan Hrubý ME4B.
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
David Rozlílek Me4B. ? ? ? ?? Jaká paměť tvoří paměť programu ………… ? EA … kde je logická 1 a kde logická 0 ……….? ? ….. Kde je vnější a kde vnitřní paměť……….?
Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
FYZIKÁLNÍ PRINCIPY PAMĚTI
Ondřej Šebesta. – Kapacita – přístupová doba – přístupová rychlost – Statičnost/dynamičnost – Energetická závislost – Přístup k paměti – Spolehlivost.
Základy číslicové techniky
Hardware - komponenty (5). Projekt: CZ.1.07/1.5.00/ OAJL - inovace výuky Příjemce: Obchodní akademie, odborná škola a praktická škola pro tělesně.
Prioritní osa: 1 − Počáteční vzdělávání Oblast podpory: 1.4 − Zlepšení podmínek pro vzdělávání na základních školách Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/
Vnitřní záznamová média. © Mgr. Petr Loskot
Odborný výcvik ve 3. tisíciletí Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.
Paměti VY_32_INOVACE_CIT_17. Základní pojmy Kapacita – max. množství informace, které lze uložit (bit, byte, kB, MB, GB, 1k = 1024) Organizace – paměťové.
PAMĚTI Paměť počítače je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměť počítače je zařízení, které slouží k ukládání.
PC základní jednotka.
Paměti typu RAM.
Záznamová media Vaníčková Zdeňka 1.L.
Financováno z ESF a státního rozpočtu ČR.
Inicializace portů mikrokontroléru
Vnitřek skříně počítače
Financováno z ESF a státního rozpočtu ČR.
Výukový materiál zpracován v rámci projektu
Využití v praxi operační paměti RAM
Paměť RAM.
Paměti EEPROM (1) EEPROM - Electrically EPROM
Transkript prezentace:

Paměti Paměti Obvody,jež umožňují uložení dat (přechodné,trvalé). Třídí se podle toho,zda umožňují zápis i čtení (RAM,DRAM,SRAM,)(Random Access Memory), nebo pouze čtení (ROM,PROM,EPROM,EEPROM)(Read Only Memory).Dnes výhradně jako integrované obvody.S odpojením napájecího napětí se informace u RAM pamětí ztrácí,u ROM zůstává zachována. Struktura pamětí – adresovací vstupy ( A0…An - podle struktury adresujeme buď skupinu buněk či jednu buňku) - výstupy ( Qn,Yn, - normální nebo třístavové) - pomocné vstupy (ovládání zápisu,čtení atd) Kapacita paměti – podle počtu paměťových buněk v použité paměti Organizace paměti (např 32x8)

Paměti Stejná kapacita paměti , různá organizace,různé typy Struktura paměti RAM 256 bit (256x1) (adresujeme 1 buňku) Struktura paměti PROM 256 bit (32x8) (adresujeme 8 buněk = byte)

Paměti A0 – An – adresy > adresový dekodér Organizace paměti CS – chip select R/W - čtení/zápis Y0 - Yn - výstupy Příklad

Paměti statické a dynamické Statická paměť – struktura jedné buňky Dynamická paměť (potřeba refreshe)

Realizace jedné buňky SRAM v technologii MOS Realizace jedné buňky paměti DRAM

Paměti „Třístavový výstup“ – výstup „Yn“ může kromě logické „0“ a „1“ nabývat tohoto stavu, který se projevuje jako by výstup byl odpojen.(Rvýst se blíží nekonečnu) To umožňuje paralelní propojování výstupů pamětí,aniž by se výstupy navzájem ovlivňovaly. Na obrázku vpravo jsou tři paměti takto propojeny a volba jedné z pamětí (aktivace) se provádí přivedením logické úrovně na vstup CHS (chip select).

Paměti Příklad paměti s osmibitovým výstupem

Paměti-adresování Způsob adresování pamětí pomocí up/down binárního čítače a dekodéru 1 z 16.

Paměti-použití Použití pamětí – ukládání dat trvalé i přechodné,mezivýsledků-tzv.latche. Paměti v PC,USB Flash disky,mobily (sériové EEPROM), mikrokontroléry s integrovanou pamětí RAM a ROM,v digitálních fotoaparátech, v programátorech praček a jiných výrobcích spotřební elektrotechniky. Možností uložení průběhu jakékoli funkce lze v součinnosti s D/A převodníkem generovat periodickou (i neperiodickou) funkci libovolným kmitočtem – funkční generátor.

Paměti-generátory funkcí

Paměti-programování Programátory pamětí Obvykle spolupráce s PC přes port (LPT,RS232,USB),obsluha - software

Paměti-perspektivy Perspektivy pamětí – v segmentu záznamových médií SSD disky začínají konkurovat HDD – výhoda podstatně nižších přístupových dob (u HDD ~ 10ms , u pamětí ~ 10ns) daleko nižší energetická náročnost,absence mechanických dílů zvyšuje spolehlivost, menší rozměry atd. Objev „jednoelektronového transistoru“ otevírá prostor pro další zvyšování hustoty integrace (radikálně redukovaný elektrický příkon-teplo chipu). Reálně realizovatelné po technologickém zvládnutí dosažení struktur rozlišení jednotek nm ( rozměry molekul ).Dnes dosahované struktury běžné průmyslové výroby kolem 90nm. Předpokládaná datová hustota je asi 1Tb dat na ploše 1cm2 – odpovídá asi 30-50 miliard transistorů.Dnes ve stádiu výzkumu v laboratořích Texas Instruments, řeší se problémy např. šumové a signálové imunity (kosmické záření,elmg smog aj).

Paměti DDR I , DDR II , DDR III První paměti DDR1 přenášely data rychlostí mezi 266 - 400 MHz. V roce 2004 vstoupila na trh druhá generace DDR2, jejíž rychlosti přenosu se pohybovaly mezi 400 – 667 (800) MHz. Paměti typu DDR3 DRAM (Dynamic Random Access Memory) mohou přenášet data rychlostí kolem 1 GHz (0,8 – 2GHz), šířku mají vesměs 64b. Při vývoji byl kladen důraz na současný trend energetické úspornosti čipů při zachování nárůstu přenosového výkonu. Oproti předchozí generaci DDR2 využívá typ DDR3 firmy Samsung nižší napětí 1,5 V (DDR2 1,8 V).

Paměti DDR 1 - 3

Paměti Flash Flash paměti jsou obdobou pamětí EEPROM. Jedná se o paměti, které je možné naprogramovat a které jsou statické a energeticky nezávislé. Vymazání se provádí elektrickou cestou, jejich přeprogramování je možné provést přímo v počítači. Paměť typu Flash tedy není nutné před vymazáním (naprogramováním) z počítače vyjmout a umístit ji do speciálního programovacího zřízení.

Paměti EEPROM (Electrically EPROM) Tento typ paměti má podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statickou energeticky nezávislou paměť, kterou je možné naprogramovat a později z ní informace vymazat. Výhodou oproti EPROM pamětem je, že vymazání se provádí elektricky a nikoliv pomocí UV záření, čímž odpadá nepohodlná manipulace s pamětí při jejím mazání. Při výrobě pamětí EEPROM se používá speciálních tranzistorů vyrobených technologií MNOS (Metal Nitrid Oxide Semiconductor). Jedná se o tranzistory, na jejichž řídící elektrodě je nanesena vrstva nitridu křemíku (Si3N4) a pod ní je umístěna tenká vrstva oxidu křemičitého (SiO2). Vlastní buňka paměti EEPROM pak pracuje na principu tunelování (vkládání) elektrického náboje na přechod těchto dvou vrstev. Při zápisu dat se přivede na příslušný adresový vodič záporné napětí -U a datový vodič buněk, do nichž se má zaznamenat hodnota 1, se uzemní. Tranzistor se otevře a vznikne v něm náboj, který vytvoří velké prahové napětí. Při čtení se přivede na adresový vodič záporný impuls. Tranzistor s malým prahovým napětím se otevře a vede elektrický proud do datového vodiče, zatímco tranzistor s velkým prahovým napětím zůstane uzavřen. Vymazání paměti se provádí kladným napětím +U, které se přivede na adresové vodiče. Tunelovaný náboj se tím zmenší a prahové napětí poklesne, čímž je paměť vymazána.