MIT Paměti Díl I leosjuranek.cz/mit. Paměti Téma: Paměti MIT Předmět: MIT 3 Ročník: 3 Juránek Leoš Ing. Autor: Juránek Leoš Ing. 12.2010 Verze: 12.2010.

Prezentace na téma: "MIT Paměti Díl I leosjuranek.cz/mit. Paměti Téma: Paměti MIT Předmět: MIT 3 Ročník: 3 Juránek Leoš Ing. Autor: Juránek Leoš Ing. 12.2010 Verze: 12.2010."— Transkript prezentace:

1 MIT Paměti Díl I leosjuranek.cz/mit

2 Paměti Téma: Paměti MIT Předmět: MIT 3 Ročník: 3 Juránek Leoš Ing. Autor: Juránek Leoš Ing. 12.2010 Verze: 12.2010 Mikroprocesorová technika 2

3 Pojmy k zapamatování  Funkce paměti, blokové schéma paměti; zapojení paměťové buňky pro jeden bit Základní parametry paměti, kapacita, organizace. Rozdělení podle přístupu k datům (RAM, FIFO, LIFO). Rozdělení podle funkce (RWM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash EEPROM) Rozdělení podle použité technologie (bipolární a unipolární, statické, dynamické) Zvětšení kapacity paměti spojením více paměťových obvodů. 3

4 Cíl Naučit se porozumět funkci paměti. Navrhovat paměťové bloky složené z dílčích pamětí  4

5 Funkce paměti Blokové schéma paměti Vlastnosti pamětí Rozdělení dle přístupu do paměti Obsah 5

6 Nová kapitola Paměti 6

7 Jakou funkci má paměť ? Jakou funkci má paměť ? N EXT : B LOKOVÉ SCHÉMA PAMĚTI? 7 Paměť

8 Blokové schéma paměti 8

9 Popište jednotlivé funkční bloky paměti. N EXT : V LASTNOSTI PAMĚTÍ Blokové schéma paměti ? 9

10 Vlastnosti pamětí Organizace Kapacita Rychlost Přístup k datům Energetická závislost N EXT : O RGANIZACE PAMĚTI 10

11 Organizace paměti N EXT : O RGANIZACE PAMĚTI 11

12 Co je to organizace paměti ? Co je to šířka paměti ? Kolik adres obsahuje paměť, která má počet adresových bitů 10. N EXT : K APACITA PAMĚTI Organizace paměti ? 12

13 Kapacita pamětí Co je to kapacita paměti. V jakých jednotkách měříme kapacitu paměti. Jaké jsou větší jednotky kapacity. Jaký je vztah mezi organizací paměti a kapacitou paměti. Seřaďte paměti podle kapacity? 256 x 4 bity 128 x 1 bit 1k x 1 bit 64 x 8 bitů N EXT : R YCHLOST PAMĚTI 13?

14 Rychlost pamětí Je čas, který uplyne od změny na vstupu čtení nebo zápisu do vystavení dat na výstupu nebo zapsání dat na nastavenou adresu. N EXT : D ĚLENÍ PAMĚTÍ PODLE PŘÍSTUPU K DATŮM 14

15 Dělení podle přístupu k datům Paměť s libovolným přístupem RAM Paměť s libovolným přístupem RAM Data jsou přístupna na libovolné adrese. Nezáleží na předchozím čtení nebo zápisu. RAM (Random Acces Memory - paměť s libovolným přístupem) N EXT : P AMĚTI SE SÉRIOVÝM PŘÍSTUPEM 15

16 Paměť se sériovým přístupem Paměť se sériovým přístupem LIFO (Last In-First Out) Data zapsaná jako poslední jsou čtena jako první. LIFO LIFO se označuje jako zásobník. FIFO (First In-First Out) Data zapsaná první jsou čtena jako první. FIFO FIFO se označuje jako fronta. Dělení podle přístupu k datům N EXT : D ĚLENÍ PODLE MOŽNOSTI ZÁPISU 16

17 Energetická závislost Paměť pro čtení a zápis RWM (závislé) Paměť pro čtení a zápis RWM Paměť pouze pro čtení (nezávislé) Paměť pouze pro čtení N EXT : P AMĚTI RWM 17

18 Paměť RWM Paměť pro čtení a zápis RWM Paměť pro čtení a zápis RWM (Read Write Memory) Doba zápisu i čtení je přibližně stejná Odpojením napětí se uložená informace ztrácí. N EXT : RWM PODLE PAMĚŤOVÉHO PRVKU 18

19 Dělení RWM podle paměťového prvku Statická paměť Statická paměť Paměťovým prvkem je klopný obvod. Bipolární Paměť je rychlá, má malou kapacitu a velkou spotřebu. CMOS Paměť má malou spotřebu. Používá se pro uložení proměnného nastavení. Napájení je zálohování baterií.0 N EXT : P AMĚŤ ROM 19

20 Dynamická paměť Dynamická paměť Paměť je pomalejší, mé velkou kapacitu a malou spotřebu. Paměťovým prvekem je kondenzátor. Paměť potřebuje doplňování náboje, cykly čtení a zápisu jsou prokládány cykly obnovy. N EXT : P AMĚŤ ROM 20 Dělení RWM podle paměťového prvku

21 Paměť ROM Paměť pouze pro čtení ROM (Read Only Memory) Doba zápisu je podstatně větší než doba čtení. Odpojením napětí data zůstávají. Používá se jako paměť N EXT : D ĚLENÍ PAMĚTÍ PODLE PAMĚŤOVÉHO PRVKU 21

22 ROM – propojky realizované ve výrobě PROM - tavné spojky ve struktuře paměti EPROM - elektricky programovatelné opakovatelně (mažou se UV zářením) MOS tranzistor s indukovaným nábojem EEPROM elektricky programovatelné opakovatelně (mažou se elektrickým signálem) MNOS tranzistor Dělení ROM podle paměťového prvku N EXT : B LOK PAMĚŤI 22

23 Blok paměti Vytvořte blok paměti 2Mx8bitů z bloků 512K x 4 N EXT : B LOK PAMĚTI 23

24 Adresní prostor paměti 2M počet adres = 2 21 Adresní prostor paměti 512K počet adres = 2 19 Blok paměti N2N2N 101K 112K 124K 138K 1416K 1532K 1664K 17128K 18256K 19512K 201M 212M 224M 238M 2416M 24

25 Adresní prostor paměti 2M 212019181716151413......21 191817161514.......212M 512K bank0 191817161514.......21 191817161514.......21 191817161514.......21 512K bank1 512K bank2 512K bank3 00 01 10 11 Blok paměti

26 Mapa paměti 2M ADRESA2322212019181716151413121110987654321 8M4M2M1M 512 K 256 K 128 K64K32K16K8K4K2K1K BANK0 000000000000000000000000000 00111111111111111111107FFFF BANK1 010000000000000000000080000 0111111111111111111110FFFFF BANK2 100000000000000000000100000 10111111111111111111117FFFF BANK3 110000000000000000000180000 1111111111111111111111FFFFF 26 Blok paměti

27 Zásobník 5 43 2 1 LIFO L ast I n F irst O ut

28 Fronta 5 4 3 2 1 FIFO F irst I n F irst O ut