Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID JFET s kanálem typu n MOSFET s trvalým kanálem typu n G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID.

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID JFET s kanálem typu n MOSFET s trvalým kanálem typu n G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID."— Transkript prezentace:

1 G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID JFET s kanálem typu n MOSFET s trvalým kanálem typu n G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID MOSFET s indukovaným kanálem typu n G D S U DS U GS IDID IDID UPUP 0 IDID I D = I DSS 1 U GS UPUP 2 g m = 1 U GS UPUP 2 I DSS UPUP I D = I DSS 1 U GS UPUP 2 g m = 1 U GS UPUP 2 I DSS UPUP g m = 2KU P 1 U GS UPUP I D = K(U GS - U P ) 2 g m = 2K(U GS - U P ) I D = KU P 2 1 U GS UPUP 2 Přehled základních vztahů pro výpočty

2 + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS + U DD RDRD R G2 IDID IDID U DS U GS RSRS R G1 U2U2 + U DD RDRD R G2 IDID IDID U DS U GS R G1 U2U2 + U DD RDRD R G2 IDID IDID U DS UGSUGS R G1 U2U2 RSRS + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS + U DD RDRD R G2 IDID IDID U DS U GS R G1 U2U2 + U DD RDRD R G2 IDID IDID U DS U GS R G1 U2U2 RSRS

3 IDID U DS IDID U GS I DSS UPUP IDID U DS IDID U GS I DSS UPUP IDID U DS IDID U GS I DSS UPUP + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS IDID U DS IDID U GS I DSS UPUP IDID U DS IDID U GS I DSS UPUP IDID U DS IDID U GS I DSS UPUP + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS

4 + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS u2u2 u1u1 CSCS RZRZ RGRG u1u1 u GS g m u GS G S gdgd RDRD u2u2 D RZRZ IDID U DS IDID U GS I DSS UPUP

5 + U DD RDRD R G2 IDID IDID U DS U GS RSRS u2u2 u1u1 CSCS R G1 RZRZ IDID U DS IDID U GS UPUP RGRG u1u1 u GS g m u GS G S gdgd RDRD u2u2 D RZRZ

6 + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS u2u2 u1u1 RGRG u GS g m u GS G S RDRD u2u2 D RSRS gdgd i2i2 RGRG u1u1 u GS g m u GS G S RDRD u2u2 RSRS gdgd D

7 + U DD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS u2u2 u1u1 RGRG u GS g m u GS G S u2u2 RSRS gdgd i2i2 D RGRG u1u1 u GS g m u GS G S u2u2 RSRS gdgd D

8 Tranzistor JFET z kanálem typu n je zapojen podle schématu na obr., R G = 180 k , R S = 150 k , U DD = 7 V, parametry tranzistoru I DSS = 12 mA, U P = = 4 V. a) Určete pracovní bod tranzistoru a jeho strmost v pracovním bodě. b) Určete velikost odporu R D tak, aby tranzistor pracoval v saturaci. Tranzistor JFET z kanálem typu n je zapojen jako zesilovač podle schématu na obr., parametry tranzistoru I DSS = 12 mA, U P = = 4 V, napájecí napětí U DD = 30 V. Určete velikost odporů R S, R G, R D tak, aby byly splněny tyto podmínky: tranzistorem protéká proud I D = 6 mA, vstupní odpor zesilovače R vstup = 2 M , zesílení zesilovače  A u   8. + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS + U DD RDRD RGRG IDID IDID U DS U GS RSRS u2u2 u1u1 CSCS

9 Tranzistor MOSFET je zapojen podle schématu na obr. Je dán časový průběh vstupního napětí u 1. Vypočtěte hodnoty a nakreslete časové průběhy proudu i D, napětí u R a napětí u DS. U DD = 15 V + R D = 10 M iDiD u DS uRuR R D = 1 k u1u1 Parametry tranzistoru: U P = + 5 V, K = 0,2 mA/V t u 1 [V] Tranzistor JFET je zapojen podle schématu na obr. Je dán časový průběh vstupního napětí u 1. Vypočtěte hodnoty a nakreslete časové průběhy proudu i D, napětí u R a napětí u DS. + U DD = 12 V iDiD R = 1 k uRuR uRuR u1u1 u DS U P = - 3 V I DS0 = 4 mA u 1 [V] t

10 u1u1 čas iDiD uRuR 0 u DS čas 0 0 0


Stáhnout ppt "G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID JFET s kanálem typu n MOSFET s trvalým kanálem typu n G D S U DS U GS IDID IDID I DSS UPUP 0 U GS IDID."

Podobné prezentace


Reklamy Google