Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Bipolární tranzistor n-Si … emitor p-Si … báze n-Si … kolektor n + -Si E … emitorový kontakt B … kontakt báze kolektorový kontakt … C SiO 2 řez strukturou.

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "Bipolární tranzistor n-Si … emitor p-Si … báze n-Si … kolektor n + -Si E … emitorový kontakt B … kontakt báze kolektorový kontakt … C SiO 2 řez strukturou."— Transkript prezentace:

1 Bipolární tranzistor n-Si … emitor p-Si … báze n-Si … kolektor n + -Si E … emitorový kontakt B … kontakt báze kolektorový kontakt … C SiO 2 řez strukturou pro jednorozměrný model Zjednodušený jednorozměrný model n emitor p báze n kolektor E C B Struktura bipolárního tranzistoru opakování z přednášek Verze ze dne

2 U BE U BC U CE I C I E I B Normální aktivní režim náhradní model U CE přechod CB - zavřen =>=> U BE U BC I C I E I B ++ + přechod EB - otevřen =>=> U BE + U CE ++ U BC I C I E I B =

3 + U BE U CE I C I E I B Normální aktivní režim, NPN, SE, ss pr. bod přechod CB - zavřen přechod EB - otevřen U BE U CE ++ I C I E I B 0,6 V 50 uA 5 mA h21 = mA 10 V 50 uA NPN 50 uA 0,6 V U CE ICIC U BE I B Příklad pracovního bodu: UBE = 0,6 V IB = 50 uA h21 = 100 UCE = 10 V IC = h21*IB = 5mA = Pro IB >0 a UCE > 0 Pro UCE > UCES

4 REŽIMY ČINNOSTI TRANZISTORU opakování z přednášek U CE ICIC I B = 0 IBIB U BC = 0 hranice režimu saturace režim závěrný U BE < 0, U BC < 0 U BE = 0 hranice závěrného režimu režim saturace U BE > 0, U BC > 0 režim aktivní normální U BE > 0, U BC < 0

5 Charakteristiky bipolárního tranzistoru tranzistor NPN, zapojení SE ( opakování z přednášek) výstupní proudová převodní zpětná vstupní U CE > 0,5 V I B [  A] IBIB U BE [mV] U CE = 0 U CE > 5 V U CE [V] I C [mA] I B [  A]

6 + U N R C R B I C I E I B U BE U BC U CE U1U1 Tranzistor NPN v zapojení SE, nastaveni ss pracovního bodu Obvod TR1.

7 TR1. Tranzistor NPN v zapojení SE, NAR, ss pracovní bod + U N R C R B I C I E I B U BE U BC U CE U1U1 U BE I B C. grafické řešení U CE ICIC U BE = U 1 - I B * R B U1U1 U 1 /R B U CE = U N - I C * R C UNUN U N /R C A. pomocí rovnic1. U BE = 0,7 V I C = I B * h 21 U 1 = I B * R B + U BE U N = I C * R C + U CE B. logika V obvodu si postupně doplńujeme hodnoty R,U,I Základ - Ohmúv zákon I = U/R

8 Příklad 1A. Dáno: UN = 15 V, U1 = 5,7 V, h21 = 200, UCE = 8 V, IC = 5 mA Určete: RB, RC Příklad 1B. Dáno: UN = 20 V, U1 =10,7 V, h21 = 100, RB = 1MO, RC = 1kO Určete: UCE, IC, IB Příklad 1C. Dáno: UN = 20 V, U1 =20 V, h21 = 500, RB = 1 MO, RC = 2,2 kO Určete: UCE, IC, IB Příklad 1D. Dáno: UN = 20 V, U1 =20 V, h21 = 500, RC = 2,2 kO Určete: RB, aby tranzistor pracoval v NAR Příklady

9 Řešení Řešení 1A: RC = (UN - UCE) / IC = (15 – 8) / 5 kO = 1,4 kO IB = IC / h21 = 5/200 mA = 25 uA RB = (U1 – UBE) / IB = (5,7 – 0,7) / 0,025 kO = 200 kO Řešení 1B: IB = (U1 – UBE) / RB = (10,7 – 0,7) / 1 uA = 10 uA IC = IB * h21 = 10 * 100 uA = 1 mA UCE = UN – IC * RC = 20 – 1*1 V = 19 V Řešení 1C: IB = (U1 – UBE) / RB = (20 – 0,7) / 1 uA = 19,3 uA = 20 uA IC = IB * h21 = 0.02 * 500 uA = 10 mA UCE = UN – IC * RC = 20 – 10 * 2,2 = V = -2 V POZOR !! UCE < UCES V..... TRANZISTOR PRACUJE V SATURACI !!! zvolíme UCE = UCES = 0,2 V IC = (UN - UCES) / RC = (20 - 0,2) / 2,2 mA = 9 mA Řešení 1D: UBE <= UCE U1 – IB * RB <= UN – IB * h21 * RC RB >= (U1 – UN)/IB + h21 * RC RB >= h21 * RC RB >= 1,1 MO

10 Vyzkoušejte si v Excelu (TR1.XLS) + U N R C R B I C I E I B U BE U BC U CE U1U1

11 Opakování U1U1 R UDUD IDID I U2U2 RZRZ IZIZ Navrhněte stabilizátor se stabilizační diodou, kde U1ss = 15 V, u1str = +- 5V Rzmin = 0, Rzmax = 1kO D: Uz = 10V, rd = 1O, Izmax = 50 mA Určete: Stabilizační činitel pro Rz = 500 O Výkonové zatížení všech součástek Verze ze dne

12 Nakreslete zapojení hradla OR pomocí diod. Vstupní napětí U1 a U2 je 0V a 5V, zatěžovací odpor je 1kO. Vypočtěte napětí a proudy pro všechny možné kombinace vstupních napětí.

13 Obvod TR1 Musíte dokonale porozumět tomuto obvodu Výpočet jednoho příkladu je 2 minuty. Pokud vám výpočet trvá déle, opakujte Nejlépe si zapamatujete, při opakování –za 2 dny –za 7 dni –za měsíc Pokud nejdete chybu, nebo Vám nebude něco jasné, pište


Stáhnout ppt "Bipolární tranzistor n-Si … emitor p-Si … báze n-Si … kolektor n + -Si E … emitorový kontakt B … kontakt báze kolektorový kontakt … C SiO 2 řez strukturou."

Podobné prezentace


Reklamy Google