Diagnostické metody při výrobě Si FV článků optické vlastnosti –reflexe po texturizaci –index lomu antireflexní vrstvy elektrické vlastnosti –vrstvový odpor difundované vrstvy parametry po technologických operacích –tlouštka antireflexní vrstvy
Speciální detekční metody doba života minoritních nosičů (délka difúze) –MWPCD (microwave photoconductance decay) –QSSPC (quasi steady state photoconductance) LBIC (light beam induced current) dark I-V (temnotní VA charakteristika) Suns Voc (závislost Vo na I)
Technologie standardních monokrystalických článků nejdůležitější kontrola po texturizaci, difůzi a depozici antireflexe
Texturizace tvorba pyramid slabý roztok NaOH nebo KOH a isopropylalkoholu čistota, teplota, proudění lázně a „aktivita povrchu Si“ lze provádět bez odleptání defektů po řezání –nevynechává se kvůli kvalitě procesu odleptání 20-30µm kontrola celkového pokrytí, homogenity a rovnoměrnosti –tolerance 6-10µm optický nebo elektronový mikroskop celková odrazivost - spektrofotometr
Difůze – PN přechod Si desky v lodičce zasunuty do křemené trubky teplota °C (podle požadované koncentrace) doba 60-90min (podle požadovaného doporu vrstvy) kontrola 2-8 desek z každé serie – čtyřbodová metoda –nevynechává se kvůli kvalitě procesu měření koncentračního profilu –ECV (electrochemical c-v measurement)
Depozice antireflexní vrstvy minimalizace reflexe (optický požadavek) minimalizace rekombinace (elektronický požadek) nejčastěji SiN x –plasmatická depozice –LPCVD (low pressure chemical vapour deposition) tlouštka a index lomu - elipsometrie –pouze na lesklých (netexturovaných) deskách totální optická reflexe –texturované desky
Doba života nosičů MWPCD – dohasínající fotovodivost –Pulsní IČ laser (904 nm) QSSPC – fotovodivost v kvazistacionárním režimu –Foto flash lampa + filtry Nosiče nejsou v objemu homogenně –Exponenciální profil –V penetrační hloubce – homogenizace –Závislost na elektrických vlastnostech –Závislost na povrchových vlastnostech