Fyzikální podstata tranzistorů OB21-OP-EL-ELN-NEL-M-2-003
unipolární bipolární - JFET - IGFET - TFT - NPN Tranzistor je třívrstvá polovodičová součástka Na vedení elektrického proudu se podílí pouze jeden typ nosičů – většinové nosiče Tranzistory - PNP Na vedení elektrického proudu se podílí oba typy nosičů – většinové nosiče menšinové nosiče
Tranzistory – První tranzistor byl zhotoven již koncem roku Bellovy laboratoře jej však veřejně předvedly až na tiskové konferenci 26. června Dlužno podotknout, že za naprostého nezájmu novinářů i laické veřejnosti. nsistor1.jpg William Shockley, John Bardeen a Walter Brattain
Bipolární tranzistory PNP NPN Báze Emito r Báze kolektor Emito r kolektor
Bipolární tranzistory PNP NPN - označování proudů a napětí
Bipolární tranzistory šířka báze musí být daleko menší, než šířka emitoru a kolektoru koncentrace příměsí v emitoru je mnohem vyšší než koncentrace příměsí v bázi plocha kolektoru je větší než plocha emitoru doba života menšinových nosičů je delší než doba potřebná pro přechod z emitoru do kolektoru Technologické podmínky správné funkce tranzistoru:
Unipolární tranzistory JFET - vnitřní struktura G D P+P+ P+P+ N+N+ N+N+ S B S...source - zdroj G...gate – řídící elektroda D...drain – odtok
Unipolární tranzistory NMOS – s indukovaným kanálem S...source - zdroj G...gate – řídící elektroda D...drain – odtok G D S P B N+N+ N+N+ P
Unipolární tranzistory PMOS – s indukovaným kanálem S...source - zdroj G...gate – řídící elektroda D...drain – odtok G D P B P+P+ N S P+ B
Unipolární tranzistory NMOS – s trvalým kanálem S...source - zdroj G...gate – řídící elektroda D...drain – odtok G D S B P N+N+ N+N+ ▄ ▄ ▄ ▄ ▄
Unipolární tranzistory PMOS – s trvalým kanálem S...source - zdroj G...gate – řídící elektroda D...drain – odtok G D S B N P+P+ P+P+ ▄ ▄▄ ▄
Děkuji za pozornost
Použitá literatura: Miloslav Bezděk: Elektronika I Jaroslav Doleček: Polovodičové prvky a elektronky