Stáhnout prezentaci
Prezentace se nahrává, počkejte prosím
1
FOTON tepelná energie chemická energie změna el. veličin mechanická
změna potenciálu termokonduktivní jev (bolometry) změna geom. rozměrů Golayův detektor termoelektrický jev (termočlánky) pyroelektrický jev (pyroel. detektory) termokapacitní jev (dielektrické detektory)
2
Detektory optického záření
s nepřímou přeměnou s přímou přeměnou
3
Golayův detektor
4
bolometry
5
termočlánky
6
Pyroelektrický detektor
Detektor v rovnováze
7
Snížení pevného náboje zvýšením teploty
Přebytek volného náboje – vznik napětí
8
Zacloněním návrat k původní teplotě a tím i původní
hodnotě polarizace - obnovení nábojové rovnováhy, pevný náboj je plně kompenzován nábojem pohyblivým – nulové napětí
9
Optická propustnost materiálu vstupního okénka
10
spektra absorpčních černí na povrchu detektoru
11
Pyroelektrický detektor
realizace
12
fotovodivost (kontaktní nebo fotoelektromagnetický
Fotoelektrický jev vnější (fotokatoda fotoemitér) vnitřní fotovodivost (kontaktní nebo mikrovlnné koncepce) hustota nosičů (extrinsické a intrinsické fotoodpory) absorpcí pohyblivost tlakem („fotonový vítr“) fotonapěťový jev fotoelektromagnetický jev PN přechod Schottky přechod objemové jevy
13
fotonásobiče
14
Negativní elektronová afinita
fotokatody Klasická fotokatoda Fotokatoda NEA Negativní elektronová afinita
15
Kruhové uspořádání dynod
16
Dynodový násobící systém – zesilovač se šumovým číslem F1
17
Závislost koeficientu sekundární emise na energii primárních elektronů
Termoemisní proudy fotokatodv závislosti na teplotě: 1-AgOCs (S1), 2- SbCsO (S11), 3 – SbNaKCs (S20), 4- SbKCs, 5-SbNaK
18
Napájení elektrod fotonásobiče
19
Vlastnosti fotonásobičů
Relativní změna citlivosti fotonásobiče po zapnutí
20
Časový průběh únavy fotonásobiče – 22 dní přerušovaného měření
Citlivost poklesla na 40% ! U - průběh napětí na fotonásobiči – cykly měření A – citlivost pro osvětlovanou část fotokatody B – citlivost pro neosvětlovanou část fotokatody
21
fotorezistory σ=
22
chlazení Peltierův článek - baterie Kapalný dusík
23
Chlazená clona zvýší citlivost detektoru až 100x
- eliminace tepelného záření okolí
24
fotodiody PN fotodioda s přechodem PN PIN fotodioda se strukturou PIN
LFD (APD) lavinová fotodioda MS fotodioda s přechodem kov-polovodič Schotkyho fotodioda
25
Difúzní a driftové oblasti ve struktuře fotodiody
26
Vliv geometrie struktury fotodiody na spektrální charakteristiku
27
Dynamické vlastnosti fotodiody
Wr – šířka driftové oblasti Wd – šířka difúzní oblasti td - difúzní časová konstanta tr - driftová časová konstanta tRC- časová konstanta RC – vliv sériových odporů difúzních oblastí a barie- rové kapacity přechodu
28
časové konstanty fotodiody Si v závislosti na vlnové délce
29
Zmenšení hodnoty časové konstanty RC
snižováním odporu difúzních oblastí
30
Dynamické vlastnosti fotodiody vliv odporu difúzních oblastí
31
Lavinová fotodioda
32
Homogenizace elektrického pole v oblasti lavinového násobení
33
Kvalitu LFD lze posoudit mapováním průběhu citlivosti po
ploše diody. V místech lokálního zvýšení citlivosti hrozí nebezpečí vzniku mikroplazmat výrazně zhoršujících šumové číslo LFD
34
Závislost ionizačních koeficientů pro elektrony
a díry v závislosti na převrácené hodnotě E pro germanium pro křemík
35
stejná pravděpodobnost pro ionizaci elektrony i děrami ba
a=b stejná pravděpodobnost pro ionizaci elektrony i děrami ba pravděpodobnost ionizace děrami je zanedbatelná
36
Vliv poměru ionizačních koeficientů na dynamické
vlastnosti LFD – zhoršení oproti fotodiodě PIN tr je driftová časová konstanta odpovídající ekvivalentní fotodiodě PIN
37
k=b/a a na nastaveném zisku M
šumové číslo LFD F=Mx v závislosti na poměru ionizačních koeficientů k=b/a a na nastaveném zisku M
38
LFD jako „pevnolátkový fotonásobič“
39
Stabilizace zisku M lavinové fotodiody. Teplotní
závislost zisku je kompenzována změnou napětí ( M s teplotou klesá s napětím roste)
Podobné prezentace
© 2024 SlidePlayer.cz Inc.
All rights reserved.