Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu

Statické paměti OB21-OP-EL-CT-JANC-M-3-010

 Rozdělení pamětí  RAM – statické, dynamické  ROM – ROM, PROM, EPROM, EEPROM, EAPROM, Flash ROM

Paměť RAM  Paměť RAM  Jako všechny polovodičové paměti jsou i paměti RAM uspořádány na čipu maticově.  Každá paměťová buňka je určena řádkovým a sloupcovým vodičem.  Podle toho, čím je poměťová buňka tvořena se mění vlastnosti polovodičové paměti.

Statická paměť RAM  Statická paměť RAM  Paměť z přímým přístupem, energeticky závislá, určená pro čtení a zápis.  Paměťová buňka je tvořena bistabilním klopným obvodem. Stavem klopného obvodu je určen zápis log. “l” nebo log. “0”.  Po výběru příslušné paměťové buňky se řádkovým vodičem sepnou spínače a tím dojde k připojení poměťové buňky na datové (sloupcové) vodiče. V této chvíli můžeme z buňky číst nebo do ní zapisovat.

Statická paměť RAM  Při čtení se zkoumá jak skutečná, tak inverzní hodnota (slouží ke kontrole správnosti čtení).  Jedna poměťová buňka obsahuje 4 nebo 6 tranzistorů.  Tato buňka je velice rychlá, ale zabírá na čipu paměti poměrně velké místo.

Statická paměť RAM

 Adresování – je výběr paměťového místa, který se provádí pomocí adres generovaných v řadiči, které se šíří po pro ně určených vodičích – adresová sběrníce.  Po výběru paměťového místa se paměťová buňka připojí na sloupcové vodiče.  Při čtení se obsah buňky přesouvá z paměti přes budič na datovou sběrnici, při zápisu se informace přesouvá z datové sběrnice do příslušné paměťové buňky.

Statická paměť RAM  Statické bipolární paměti jsou tvořeny buňkami z bistabilních klopných obvodů. Mohou být jak bipolární tak unipolární.  Statické bipolární paměti. Paměti z bipolárních tranzistorů slouží jako rychlé paměti s dobou přístupu asi 30 ns.

Statická paměť RAM  Statické unipolární paměti. Základem statických unipolárních pamětí (SRAM - Static RAM) je paměťová buňka složená z klopného obvodu a většinou ze čtyř paměťových spínačů.  Doba zápisu je proti době čtení delší o nabíjení parazitních kapacit klopného obvodu.  Rychlost čtení je dána použitím tranzistorů v dekodéru, a to buď pomalých (unipolárních) nebo rychlých (bipolárních).  Rozdíl v rychlosti čtení je přibližně desetinásobný.

 Děkuji za pozornost  Ing. Ladislav Jančařík

Literatura  M. Antošová, V. Davídek: Číslicová technika, Kopp České Budějovice, 2008  J. Bernard, J. Hugon, R. Le Corvec: Od logických obvodů k mikroprocesorům I