MNAI –cvika4 Diferenční zesilovač s BJT BANDGAP reference, PTAT
Pro simulace je použito modelu tranzistoru s DC parametry uvažovanými při výpočtu: NPN: Is = A = 100 Sklon výstupní charakteristiky 0.5 μA/V při Ic=30uA (V E =60V) PNP: Is = A = 50 Sklon výstupní charakteristiky 1 μA/V při Ic=30uA (V E =30V) Pozn: přesné V T pro 300K je mV Modely lze získat na
Souběh !!!!! Rozptyl odporu „hipo“ R přes proces a teplotu V AMIS CMOS07: R hipotyp = 2000 Ω/□ R hipomin = 1600 Ω/□ R hipomax = 2400 Ω/□ tc 1 = tc 2 = Rozptyl Rhipo [Ω/□] pro t = (0-90)°C
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
9
9
9
9
9
9 BG oblouček