Fyzika kondenzovaného stavu 7. přednáška
Kvantování kmitů mříže elastické vlny v krystalu jsou tvořeny fonony tepelné kmity v krystalech tepelně excitované fonony - energie elastického módu s frekvencí - energie krystalu - fonon kvazičástice podléhající B-E statistice
Poměry m*/m na Fermiho ploše pro některé kovy lithium (Li) 1,2 berylium (Be) 1,6 sodík (Na) hliník (Al) 0,97 kobalt (Co) 14 nikl (Ni) 28 měď (Cu) 1,01 zinek (Zn) 0,85 stříbro (Ag) 0,99 platina (Pt) 13
Pásový diagram izolantu a polovodiče orientačně: Eg < 3 eV – polovodič Eg > 3 eV – izolant efektivní hmotnost díry efektivní hmotnost elektronu
Rovinná reprezentace polovodičového krystalu (Si) vlastní polovodič polovodič n polovodič p
Příměsové polovodiče typ P typ N donory – 5 valenčních elektronů (arsen, fosfor,…) akceptory – 3 valenční elektrony (bór, hliník)
Pásový diagram p-n přechodu
Schockleyova rovnice polovodičové diody J – proudová hustota U – napětí na diodě Dn, Dp – difúzní koeficient elektronů, děr Ln, Lp – difúzní délka NA, ND – koncentrace akceptorů, donorů J0 - saturační proudová hustota
Tranzistor 1947 – W. Schockley, J. Bardeen, W.H. Brattain (Nobelova cena 1956)