Diagnostické metody při výrobě Si FV článků optické vlastnosti –reflexe po texturizaci –index lomu antireflexní vrstvy elektrické vlastnosti –vrstvový.

Prezentace na téma: "Diagnostické metody při výrobě Si FV článků optické vlastnosti –reflexe po texturizaci –index lomu antireflexní vrstvy elektrické vlastnosti –vrstvový."— Transkript prezentace:

1 Diagnostické metody při výrobě Si FV článků optické vlastnosti –reflexe po texturizaci –index lomu antireflexní vrstvy elektrické vlastnosti –vrstvový odpor difundované vrstvy parametry po technologických operacích –tlouštka antireflexní vrstvy

2 Speciální detekční metody doba života minoritních nosičů (délka difúze) –MWPCD (microwave photoconductance decay) –QSSPC (quasi steady state photoconductance) LBIC (light beam induced current) dark I-V (temnotní VA charakteristika) Suns Voc (závislost Vo na I)

3 Technologie standardních monokrystalických článků nejdůležitější kontrola po texturizaci, difůzi a depozici antireflexe

4 Texturizace tvorba pyramid slabý roztok NaOH nebo KOH a isopropylalkoholu čistota, teplota, proudění lázně a „aktivita povrchu Si“ lze provádět bez odleptání defektů po řezání –nevynechává se kvůli kvalitě procesu odleptání 20-30µm kontrola celkového pokrytí, homogenity a rovnoměrnosti –tolerance 6-10µm optický nebo elektronový mikroskop celková odrazivost - spektrofotometr

5 Difůze – PN přechod Si desky v lodičce zasunuty do křemené trubky teplota 700-950°C (podle požadované koncentrace) doba 60-90min (podle požadovaného doporu vrstvy) kontrola 2-8 desek z každé serie – čtyřbodová metoda –nevynechává se kvůli kvalitě procesu měření koncentračního profilu –ECV (electrochemical c-v measurement)

6

7 Depozice antireflexní vrstvy minimalizace reflexe (optický požadavek) minimalizace rekombinace (elektronický požadek) nejčastěji SiN x –plasmatická depozice –LPCVD (low pressure chemical vapour deposition) tlouštka a index lomu - elipsometrie –pouze na lesklých (netexturovaných) deskách totální optická reflexe –texturované desky

8 Doba života nosičů MWPCD – dohasínající fotovodivost –Pulsní IČ laser (904 nm) QSSPC – fotovodivost v kvazistacionárním režimu –Foto flash lampa + filtry Nosiče nejsou v objemu homogenně –Exponenciální profil –V penetrační hloubce – homogenizace –Závislost na elektrických vlastnostech –Závislost na povrchových vlastnostech

9

10

11