Anihilace pozitronů v polovodičích záchytový model pro V -

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) střední doba života rozklad na komponenty C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) rozklad na komponenty C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)  b = 230 ps V Ga :  v = 260 ps (hluboká záchytová centra) mělká záchytová centra:  s = 230 ps záchyt pozitronů v Rydbergových stavech

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)  b = 230 ps mělká záchytová centra:  s = 230 ps záchyt pozitronů v Rydbergových stavech záporně nabité ionty Ga As V Ga :  v = 260 ps (hluboká záchytová centra) koncentrace Ga As nezávislá na koncentraci vakancí

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) rozklad na komponenty C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)  b = 230 ps V Ga :  v = 260 ps (hluboká záchytová centra) mělká záchytová centra:  s = 230 ps záchyt pozitronů v Rydbergových stavech záporně nabité ionty Ga As E b = (41  4) meV koncentrace c st = 1.3  cm -3

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)  b = 230 ps, záporně nabité ionty Ga As Arrheniův plot

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992)  b = 230 ps, záporně nabité ionty Ga As koncentrace mělkých záchytových center E b = meV

Anihilace pozitronů v polovodičích záchytový model C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992) vakance mělké záchytové centrum

Anihilace pozitronů v polovodičích záchytový model C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992) vliv poměru K v / K R

Anihilace pozitronů v polovodičích záchytový model C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992) vliv vazebné energie pozitronu E b

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs ozářený elektrony (1.5 MeV) C. Corbel et al. Phys. Rev. B 45, 3386 (1992) teplotní stabilita defektů mělká záchytová centra jsou teplotně stabilní vakance se při pokojové teplotě odžíhávají

Anihilace pozitronů v polovodičích defekty v GaAs valenční pás vodivostní pás Fermiho hladina Fermiho energie chemický potenciál e -

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs přechod  v = 260 ps  295 ps závislost  v na poloze Fermiho hladiny  v = 260 ps: V As 1-  v = 295 ps: V As 0 přechod V As -1  V As 0

Anihilace pozitronů v polovodičích GaAs závislost záchytové rychlosti K 295 na poloze Fermiho hladiny V As -1  V As 0  V As +1

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe růst krystalu v přebytku Te  dominantní defekty V Cd vhodný materiál pro detektory  -záření: - vhodná šířka zakázaného pásu - poměrně velké Z: ( )/2 = 50

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe CdTe:Cl, CdTe:In

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe kompenzace C. Szeles, IEEE Trans. Nucl. Sci. 51, 1242 (2004) dobrý detektor  vysoký odpor

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe mobilita  C. Szeles, IEEE Trans. Nucl. Sci. 51, 1242 (2004) doba života nosičů  dobrý detektor  velký 

K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, (2012) Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe:Cl, CdTe:In stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, (2012) A-centrum: mělký akceptor + mělký donor p typ nezávisle na koncentraci donorů n typ při vysoké koncentraci donorů

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe Fermiho hladina oblast E f kdy  > 10 9  cm rostoucí koncentrace mělkých donorů K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, (2012) stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) E f D-V roste s [D + ], E f D-A konstantní n-typ Fermiho hladina saturovaná na E f D-A CdTe:Cl, CdTe:In

Anihilace pozitronů v polovodičích Fermiho hladina oblast E f kdy  > 10 9  cm rostoucí koncentrace mělkých donorů K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, (2012) stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) E f D-V roste s [D + ], E f D-A konstantní vysoký odpor CdTe:Cl, CdTe:In

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, (2012) stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) formační energie defektů v nedopovaném CdTe V Cd + Te Cd V Cd + Cd i V Cd + V Te ??

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe:Cl K. Biswas, M.-H. Du, New J. Phys. 14, (2012) stabilizace Fermiho hladiny (‘pinning’) formační energie defektů v Cl dopovaném CdTe A + Cl Te A + Cd Te

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe bulk  b = 295 ps CdZnTeCdTe:Cl vakance (V Cd - 2Zn Te ) 0,  v = 320 ps A-centrum (V Cd - Cl Te ) -,  v = 330 ps klastr 4 A-center 4(V Cd - Cl Te ) -,  4V = 420 ps mělká záchytová centra  R = 290 ps

Anihilace pozitronů v polovodičích CdTe