Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Polovodičové detektory vodivostní pás valenční pás záchytové nebo rekombinační centrum.

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "Polovodičové detektory vodivostní pás valenční pás záchytové nebo rekombinační centrum."— Transkript prezentace:

1 Polovodičové detektory vodivostní pás valenční pás záchytové nebo rekombinační centrum

2 Polovodičové detektory p-n přechod n typp typ díry elektrony depleted layer ~ 100  m

3 Polovodičové detektory p-n přechod n typp typ díry elektrony HV+ HV depleted layer ~ 100  m n kontaktp kontakt

4 Ge(Li) Polovodičové detektory HV+ HV Z Si = 14 Z Ge = 32  fotoefekt ~ Z 5  60  větší pro Ge Li donor n kontaktp kontakt

5 Ge(Li) Polovodičové detektory HV+ HV n kontaktp kontakt

6 Ge(Li) Polovodičové detektory 137 Cs

7 Polovodičové detektory p-n přechod n typp typ díry elektrony HV+ HV depleted layer ~ 100  m n kontaktp kontakt depleted layer   = 8.85  Fcm -1 e = 1.6  C U = 1  10 3 V Ge:  r = 16 c imp = cm -3  d = 0.4 cm

8 HPGe polovodičové detektory krystal vysoce čistého Ge (p – typ) c imp < cm -3 = 2  ppm nečistoty zůstávají v tavenině indukční cívky zonální čištění

9 HPGe polovodičové detektory planární konfigurace depleted region

10 HPGe polovodičové detektory koaxiální konfigurace p-n přechod na vnějším povrchu (vhodnější stačí menší HV) p-n přechod na vnitřním povrchu

11 HPGe polovodičové detektory koaxiální konfigurace (p-typ) p-n přechod na vnějším povrchu detekuje  s E > 50 keV (kvůli n + elektrodě na povrchu)

12 HPGe polovodičové detektory koaxiální HPGe detektor

13 HPGe polovodičové detektory koaxiální HPGe detektor (p-typ) n + kontakt p + kontakt

14 HPGe polovodičové detektory

15 137 Cs

16 HPGe polovodičové detektory srovnání energetického rozlišení: přirozené pozadí scintilační detektory (plastický scintilátor, NaI(Tl)) x polovodičové (HPGe x CdZnTe) 208 Tl (2615 keV) 40 K (1460 keV)

17 HPGe polovodičové detektory energetické rozlišení (FWHM) E = 122 keV ( 55 Fe EC) R = 0.5 – 1.0 % E = 1333 keV ( 60 Co  - ) R = 0.14 – 0.17 % relativní účinnost (% NaI) absolutní vnitřní účinnost

18 vstupní impedance: Nábojově citlivý předzesilovač zisk výstupní napětí

19 vstupní impedance: Nábojově citlivý předzesilovač zisk výstupní napětí

20 511 keV  -záření fluktuace signálu: dosažitelný elektronický šum: elektronický šum lze zanedbat ~ 5000 fotonů emitovaných NaI(Tl) scintilátorem (100 eV/foton) ~ 100 fotonů na fotokatodě (rychlá komponenta) (integrální světelný výstup BaF 2 20 / 2 % NaI(Tl)) ~ 3  10 8 elektronů na anodě (zisk PMT G = 10 7, kvantová účinnost katody  = 25%), 4 mA max. proud (délka pulsu 30 ns) 0.2 V (pro 50  vstupní impedanci) Poissonovo rozdělení (120 keV) Šum: scintilační detektory

21 511 keV  -záření ~ párů elektron-díra (Ge  = 2.96 eV/e-díra pár) fluktuace signálu: dosažitelný elektronický šum: vnitřní rozlišení na energii E = 511 keV (fano faktor F = 0.1) elektronický šum je dominantní Šum: polovodičové detektory


Stáhnout ppt "Polovodičové detektory vodivostní pás valenční pás záchytové nebo rekombinační centrum."

Podobné prezentace


Reklamy Google