Stáhnout prezentaci
Prezentace se nahrává, počkejte prosím
ZveřejnilLuděk Hruška
1
Tato prezentace je spolufinancována Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky Současný stav výzkumu v oblastech fotovoltaických technologií na NTC a plány v rámci CENTEM Pavol Šutta
2
Západočeská univerzita - NTC Katedra mikroelektroniky FEI STU Ústav makromolekulární chemie AV ČR v.v.i. Ústav termomechaniky AV ČR v.v.i. Solartec s.r.o.
3
Tandem cells (full spectrum utilization) Concentrators (high efficiency) Quantum structures Organic semiconductors Saving of material Saving of material Lower efficiency Lower efficiency a-Si:H lower lifetime a-Si:H lower lifetime CIS long lifetime CIS long lifetime CdS, CdTe (cadmium) CdS, CdTe (cadmium) About 85 % production About 85 % production More material More material Higher price Higher price Long operating life Long operating life Good efficiency Good efficiency
5
Technologies Diode sputtering – Bratislava Diode sputtering – Bratislava Magnetron sputtering Magnetron sputtering PE CVD PE CVD Electron beam evaporation Electron beam evaporation Thermal pocessing Thermal pocessing
6
Experimental methods XRD (2D & in-situ) analysis UV Vis photospectrometry FTIR spectroscopy Raman spectrometry SEM & TEM
7
MATERIALS under interest ZnO:Al(Sc,Ga,N) Silicon / silicon hydride Hexagonal Diamond cubic / tetragonal
8
Ab-initio calculations of atomic structures and bondings of ZnO:Al(:Sc :Ga) ZnO:AlZnO:ScZnO:Ga
9
Calculation of energy band structure of ZnO and influence of dopands A simple model of ZnO Energy band diagram of ZnO Energy band diagram of ZnO:N Expanded model of ZnO =>
10
Thin film attachment X-ray diffraction – asymmetric ω-2 geometry
11
Theta – theta arangement Thin film attachment
12
XRD patterns of a-Si:H films recorded on a thin film attachment Si, Si 4 H a-Si:H/glass
13
Phase composition of a-Si:H films
14
Raman spectroscopy
16
Polycrystalline silicon films e-beam
17
Raman mapping – e-beam XRD
18
Raman mapping e-beam
19
Microstructure – PECVD
20
Systematic study of silane dilution by hydrogen
21
Stability of the cells against degradation
22
Solar cells characteristics
23
V-I curve and efficiency of a single-junction solar cell
24
Dílčí cíle projektu CENTEM pro fotovoltaiku a fotoniku DC 51 – Výzkum a návrh technologie přípravy polykrystalických vrstev křemíku pro fotovoltaické články III. generace vzniklých rekrystalizací tenkých vrstev amorfního křemíku deponovaného PVD a CVD metodami DC 52 – Výzkum a návrh technologie přípravy tenkých absorpčních vrstev pro fotovoltaické články III. generace založených na křemíkových kvantových nano-strukturách osazených v dielektrické matrici. DC 53 – Výzkum a návrh technologie přípravy optoelektronických a fotonických materiálů založených na periodických strukturách s prostorově ovládanou krystalizací křemíku a na strukturách oxidu zinečnatého
25
Pokračování výzkumu v rámci CENTEM Rekrystalizace a-Si Kvantové struktury Si
26
Materiály na křemíkových kvantových strukturách pro tandemové články
27
500nm A80 500nm B80 500nm A0 Nestandardní způsob depozice vrstev ZnO
28
Rentgenová difrakční analýza
29
Parametry reálné struktury c-Si solar cells Estimation of c phase volume content [%] c-Si phase Si 4 H phase [nm] x 10 3 [ ] [nm] x 10 2 [ ] 1A 437162135.962.1 2A 437272159.044.0 3A 437384105.371.5 Kvantové struktury
Podobné prezentace
© 2024 SlidePlayer.cz Inc.
All rights reserved.