RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN Václav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, 1Informace.

Prezentace na téma: "RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN Václav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, 1Informace."— Transkript prezentace:

1 RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN Václav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, holy@mag.mff.cuni.cz 1Informace pro studenty

2 2 GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů Modré, zelené a bílé světelné diody

3 Informace pro studenty3

4 4

5 5 Struktura GaN: Wurtzitová mřížka

6 Informace pro studenty6 Zakázaný pás šířky asi 3.1 eV Depozice metodou CVD na různé substráty: Al 2 O 3, SiC, Si(111)

7 Informace pro studenty7 (0001) basal c-plane

8 Informace pro studenty8 (1120) a-plane

9 Informace pro studenty9 a-GaN: Basal stacking faults: fcc-like segment basal stacking faults in (0001) planes, prismatic stacking faults in {1210} a-planes See the review in M. A. Moram and M. E. Vickers, Rep. Prog. Phys. 72, 036502 (2009)

10 Informace pro studenty10 R. Liu, A. Bell, and F. A. Poncea, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 86, 021908 (2005). cross-section TEM with basal SFs HRTEM, basal SF, type I1 basal and prismatic SFs

11 Informace pro studenty11 streaks in reciprocal space along [0001] In most cases, the basal stacking faults in the (0001) plane are larger than the coherence width of primary radiation  the stacking faults give rise to streaks in reciprocal space along [0001]. Ideal hcp stacking: ABABABAB nn 01010101 Ideal fcc stacking: ABCABCAB nn 01201201 I1 stacking fault: ABABCBCB nn 01012121 The simulation of the intensity distribution along the streak is made by a Monte-Carlo method We assumed geometric distribution of random distances between stacking faults

12 Informace pro studenty12 Cíle bakalářské práce: 1. Simulace rtg difrakce na vrstvách a-GaN s vrstevnými chybami 2. Měření rtg difrakce na epitaxních vrstvách a-GaN (prof. Krost, Univ. Magdeburg, prof. Hommel, Univ. Bremen) v naší rtg laboratoři a na synchrotronech

13 Informace pro studenty13 Co požadujeme: 1.Dobré znalosti přednášky Fyzika IV 2.Zručnost práce s počítačem 3.Základní znalost programování (Matlab) 4.Základní experimentální dovednosti, např. chytnout vzorek do pinzety tak, aby nespadl na zem Co nabízíme: 1.Slušné zacházení a přátelské prostředí (zeptejte se sami Vašich kolegů) 2.Zajímavou práci na zajímavém tématu na unikátních vzorcích 3.Cestování na synchrotrony (Hamburg, Grenoble, aj.) pokud budete mít zájem M. Barchuk, V. Holý, B. Miljevic, B. Krause, T. Baumbach, J. Hertkorn, and F. Scholz, Journal of Appl. Phys. 108, 043521 (2010). M. Barchuk, V. Holý, B. Miljević, B. Krause, and T. Baumbach, Appl. Phys. Lett. 98, 021912 (2011). M. Barchuk, V. Holý, D. Kriegner, J. Stangl, S. Schwaiger, and F. Scholz, Phys. Rev. B 84, 094113 (2011).