Stáhnout prezentaci
Prezentace se nahrává, počkejte prosím
1
MNAI –cvika4 Diferenční zesilovač s BJT BANDGAP reference, PTAT
2
Pro simulace je použito modelu tranzistoru s DC parametry uvažovanými při výpočtu: NPN: Is = 2.10 -16 A = 100 Sklon výstupní charakteristiky 0.5 μA/V při Ic=30uA (V E =60V) PNP: Is = 2.10 -16 A = 50 Sklon výstupní charakteristiky 1 μA/V při Ic=30uA (V E =30V) Pozn: přesné V T pro 300K je 25.851241 mV Modely lze získat na http://www.umel.feec.vutbr.cz/~prokop/MNAI/MNAI.htm
3
Souběh !!!!! Rozptyl odporu „hipo“ R přes proces a teplotu V AMIS CMOS07: R hipotyp = 2000 Ω/□ R hipomin = 1600 Ω/□ R hipomax = 2400 Ω/□ tc 1 = -21.10 -4 tc 2 = 5.10 -6 Rozptyl Rhipo [Ω/□] pro t = (0-90)°C
4
1
5
1
6
2
7
2
8
3
9
3
10
4
11
4
12
5
13
5
14
6
15
6
16
6
17
6
18
7
19
7
20
8
21
9
22
9
23
9
24
9
25
9
26
9 BG oblouček
Podobné prezentace
