Šablona:III/2č. materiálu: VY_32_INOVACE_FYZ58 Jméno autora:Mgr. Alena Krejčíková Třída/ročník:2. ročník Datum vytvoření:7. 12. 2013 Výukový materiál zpracován.

Prezentace na téma: "Šablona:III/2č. materiálu: VY_32_INOVACE_FYZ58 Jméno autora:Mgr. Alena Krejčíková Třída/ročník:2. ročník Datum vytvoření:7. 12. 2013 Výukový materiál zpracován."— Transkript prezentace:

1 Šablona:III/2č. materiálu: VY_32_INOVACE_FYZ58 Jméno autora:Mgr. Alena Krejčíková Třída/ročník:2. ročník Datum vytvoření:7. 12. 2013 Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0996

2 Vzdělávací oblast:Přírodovědné vzdělávání Tematická oblast:Polovodičová dioda Předmět:Fyzika Anotace: Prezentace je věnována principu a zapojení polovodičové diody. Žáci se seznámí s pojmem hradlová vrstva. Vysvětlují vliv vnějšího elektrického pole na hradlovou vrstvu a chování diody v závislosti na jejím připojení ke zdroji elektrického proudu. Klíčová slova:Dioda, hradlová vrstva, závěrný směr, propustný směr, pravidlo 4P. Druh učebního materiálu:Prezentace

3 Polovodičová dioda

4 Dělení polovodičů (opakování)  vlastní vodivost  sloučeniny Si, Ge  nejsou přítomny jiné prvky  vodivost elektronů a děr  polovodiče typu N  hlavními nositeli náboje jsou elektrony (e – )  přidána pětimocná příměs (As, P)  polovodiče typu P  hlavními nositeli náboje jsou elektronové vakance  přidána třímocná příměs (Al, In)  tzv. díry (h + )  základní materiál polovodičových součástek je křemík

5 Dioda  polovodičová součástka  spojení polovodiče typu P a polovodiče typu N  v místě, kde se polovodiče setkávají vzniká hradlová vrstva

6  pokud neprochází elektrický proud  dochází k rekombinaci děr a elektronů v místě dotyku  vzniká přepážka = hradlo  elektrony a díry rekombinují jen do určité hloubky  dále od hradlové vrstvy zůstávají vlastnosti polovodičů zachovány

7 Připojením vnějšího zdroje  připojením kladného pólu zdroje na polovodič N  elektrony z polovodiče N jsou přitahovány ke kladnému zdroji  díry z polovodiče P jsou přitahovány k zápornému pólu zdroje  hradlová vrstva se rozšiřuje  elektrický proud neprochází  připojení diody v ZÁVĚRNÉM SMĚRU

8  připojením kladného pólu zdroje na polovodič typu P  elektrony z polovodiče N jsou přitahovány ke kladnému zdroji  díry z polovodiče P jsou přitahovány k zápornému pólu zdroje  hradlová vrstva se zeslabuje  protéká elektrický proud  dioda je připojena v PROPUSTNÉM SMĚRU

9 Pravidlo 4P  uvádí, jak připojit polovodičovou diodu do elektrického obvodu  Plus na Plus Proud Prochází  katoda přitahuje kladné částice → je záporná  polovodič typu N  připojování směrem k mínusu

10

11 Zdroje a literatura  OBRÁZKY  hradlová vrstva  REICHL, Jaroslav. Fyzikální podstata přechodu PN [online]. [cit. 7.12.2013]. Dostupný na WWW: http://fyzika.jreichl.com/main.article/view/265-fyzikalni-podstata- prechodu-pn http://fyzika.jreichl.com/main.article/view/265-fyzikalni-podstata- prechodu-pn  dioda schématická značka  WIKIPEDIE. Dioda [online]. [cit. 7.12.2013]. Dostupný na WWW: http://cs.wikipedia.org/wiki/Dioda http://cs.wikipedia.org/wiki/Dioda  dioda  INTERNATIONAL LIGHT TECHNOLOGIES. LED Technical Application Information [online]. [cit. 7.12.2013]. Dostupný na WWW: http://www.intl-lighttech.com/applications/light-sources/leds http://www.intl-lighttech.com/applications/light-sources/leds 

12  LITERATURA  LEPIL, Oldřich; BEDNAŘÍK, Milan; HÝBLOVÁ, Radmila. Fyzika II pro střední školy. Praha: Prometheus, 1993, ISBN 80- 7196-1858-X.