Investice do rozvoje vzdělávání

Prezentace na téma: "Investice do rozvoje vzdělávání"— Transkript prezentace:

1 Investice do rozvoje vzdělávání
Připraveno ve spolupráci s projektem NANOTEAM Budování výzkumných týmů a rozvoj univerzitního vzdělávání výzkumných odborníků pro mikro- a nanotechnologie (NANOTEAM) Reg. č. CZ.1.07/2.3/.00/ Senzor plynů založený na MEMS jazýčkovém rezonátoru Imrich Gablech Investice do rozvoje vzdělávání

2 Parameters of sputtering process
Naprašování AlN Parameters of sputtering process SEM Samples RFP Flow(Ar) Flow(N2) BC BV AC AV EC EV Substrate heating [°C] Res2tw EDX (Al - N - C) EDX (Al - N - O - C) Al pure 1 78 3,7 0,0 0,043 900 0,002 180 50 3.5Ω 62,8 - 17,0 - 20,2 --- AlN 2 1,5 300 5.4Ω 61,0 - 18,2 - 20,8 AlN 3 2,5 4.2Ω 56,0 - 27,7 - 16,3 54,3 -23,9 - 6,5 - 15,3 AlN 4 3,5 15.2Ω 48,8 - 37,7 - 13,5 45,4 - 27,2 - 15,7 - 11,8 AlN 5 7,0 50MΩ 39,2 - 54,0 - 6,8 35,1 - 36,0 - 23,3 - 5,5 AlN 6 500Ω 45,1 - 49,4 - 5,6 42,3 - 42,7 - 9,7 - 5,2 AlN 7 500 35Ω 47,6 - 44,7 - 7,6 46,3 - 41,0 - 5,2 - 7,5 Al pure 8 5.7Ω 73,3 - 11,0 - 15,7 72,2 - 9,4 - 2,4 - 16,0

3 Parameters of sputtering process
Naprašování AlN Parameters of sputtering process SEM Samples RFP Flow(Ar) Flow(N2) BC BV AC AV EC EV Substrate heating [°C] Res2tw EDX (Al - N - C) EDX (Al - N - O - C) Al pure 1 78 3,7 0,0 0,043 900 0,002 180 50 3.5Ω 62,8 - 17,0 - 20,2 --- AlN 2 1,5 300 5.4Ω 61,0 - 18,2 - 20,8 AlN 3 2,5 4.2Ω 56,0 - 27,7 - 16,3 54,3 - 23,9 - 6,5 - 15,3 AlN 4 3,5 15.2Ω 48,8 - 37,7 - 13,5 45,4 - 27,2 - 15,7 - 11,8 AlN 5 7,0 50MΩ 39,2 - 54,0 - 6,8 35,1 - 36,0 - 23,3 - 5,5 AlN 6 500Ω 45,1 - 49,4 - 5,6 42,3 - 42,7 - 9,7 - 5,2 AlN 7 500 35Ω 47,6 - 44,7 - 7,6 46,3 - 41,0 - 5,2 - 7,5 Al pure 8 5.7Ω 73,3 - 11,0 - 15,7 72,2 - 9,4 - 2,4 - 16,0

4 Naprašování AlN Neúspěšné opakování pokusu: Jak dál?
„nový wafer“ se starším titanem (1. pokus – 300 nm) neznámá tloušťka SiO2 (1. pokus – 1,8 µm) neznámá krystalografická orientace (1. pokus - N-typ <100>) „otrávený target“ Jak dál? zkoumat dále změnu průtoku N2 (hodnoty okolo 7 ml/min) sledovat vliv teploty v rozmezí 250 – 350 °C při konstantním nastavení ostatních parametrů odprášit z targetu několik nm (případně µm) Al a opakovat celý postup od čistého Al -> postupné zvyšování průtoku N2 -> až k pátému vzorku

5 Investice do rozvoje vzdělávání
KONEC Investice do rozvoje vzdělávání

6 Investice do rozvoje vzdělávání
Poděkování: Budování výzkumných týmů a rozvoj univerzitního vzdělávání výzkumných odborníků pro mikro- a nanotechnologie (NANOTEAM) CZ.1.07/2.3/.00/ Investice do rozvoje vzdělávání