Odborný výcvik ve 3. tisíciletí

Prezentace na téma: "Odborný výcvik ve 3. tisíciletí"— Transkript prezentace:

1 Odborný výcvik ve 3. tisíciletí
ELI I MĚŘENÍ TRANZISTORŮ Obor: Elektrikář slaboproud Ročník: Vypracoval: Bc. Svatopluk Bradáč Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky

2 Tranzistor - polovodičová součástka se třemi elektrodami BÁZE EMITOR
KOLEKTOR

3 Bipolární tranzistory - mají dva polovodičové přechody a jsou buď N- P- N nebo P- N- P
C- B- E C+ B+ E-

4 Náhradní schéma tranzistoru:
- toto schéma nám slouží pouze k orientačnímu přeměření tranzistoru pomocí ohmmetru. Zjišťujeme pouze funkčnost tranzistoru zda jsou oba přechody v pořádku. PNP NPN

5 Měření tranzistoru pomocí diodového testu:
PNP NPN B C+ ano B+ C- ano B E+ ano B+ E- ano B+ C- ne B C+ ne B+ E- ne B E+ ne C+ E- ne C+ E- ne C E+ ne C E+ ne

6 Značení tranzistorů: První písmeno značí použitý polovodičový prvek.
G – germánium /TESLA / - A – zahraniční výrobce K – křemík /TESLA / - B – zahraniční výrobce Druhé písmeno značí typ : C - nízkofrekvenční tranzistory D - nízkofrekvenční výkonové tranzistory F - vysokofrekvenční tranzistory L - vysokofrekvenční výkonové tranzistory S - spínací tranzistory U - spínací výkonové tranzistory Třetí písmeno neobsahuje zpravidla žádné technické údaje, výrobce jím sděluje jiné informace. Číselný údaj za písmenovým znakem určuje druh pouzdra, vodivost, velikost napětí, proudu apod.

7 Pouzdra tranzistorů: Vlastní polovodičový systém je umístěn v různých pouzdrech, která se liší nejen tvarem, ale i materiálem. Kovová pouzdra jsou dražší než plastová, zato lépe odvádějí ztrátové teplo z tranzistorového systému. Často se setkáváme s kombinací dvou materiálů, zejména u výkonových tranzistorů. Potom je součástí plastového pouzdra kovová destička, určená k přišroubování na chladič. Jejím prostřednictvím se snadno odvádí ztrátové teplo z tranzistoru.

8 Unipolární tranzistory
-jsou označovány symbolikou FET. Jsou to tranzistory řízené elektrickým polem. Od bipolárních tranzistorů se liší výstupním proudem, který se řídí výhradně elektrickým polem /bez proudu/ na vstupní elektrodě. Výstupní odpor je u těchto tranzistorů nesrovnatelně vyšší v porovnání s bipolárními. Struktura FET je v porovnání s bipolárním tranzistorem značně složitější. Unipolárních tranzistorů je více druhů, které se vzájemně liší.

9 Unipolární tranzistor J-FET:
– má tři elektrody - vstupní elektroda G /gejt/ emitor E kolektor C - s kanálem N s kanálem P

10 Unipolární tranzistor – MOS FET:
- vyznačuje se tím, že řídící elektroda je oddělena, izolovaná tenkou vrstvou oxidu křemičitého. Ten zlepšuje vlastnosti tranzistoru při použití ve vf technice. Vrstva oxidu totiž zmenšuje parazitní /škodlivé/ kapacity. / MOS – anglické slovo METAL OXIDE SILICON/ - s kanálem N s kanálem P

11 Děkuji Vám za pozornost Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2009
Bc. Svatopluk Bradáč Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2009 Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky