Stáhnout prezentaci
Prezentace se nahrává, počkejte prosím
1
Polovodičové detektory
vodivostní pás záchytové nebo rekombinační centrum valenční pás
2
Polovodičové detektory
p-n přechod díry elektrony p typ n typ - + - + - + depleted layer ~ 100 mm
3
Polovodičové detektory
p-n přechod díry elektrony p typ n typ - + - + - + depleted layer ~ 100 mm - HV + HV - - - - - + + + + - - - + + + - - - - - + + + + p kontakt n kontakt
4
Ge(Li) Polovodičové detektory
ZSi = 14 ZGe = 32 sfotoefekt ~ Z 5 60 větší pro Ge Li donor - HV + HV - - - - - + + + + - - - + + + - - - - - + + + + p kontakt n kontakt
5
Ge(Li) Polovodičové detektory
- HV + HV - - - - - + + + + - - - + + + - - - - - + + + + p kontakt n kontakt
6
Ge(Li) Polovodičové detektory
137Cs 137Cs
7
Polovodičové detektory
p-n přechod díry elektrony p typ n typ - + - + - + depleted layer ~ 100 mm depleted layer e0 = 8.85 Fcm-1 e = 1.6 C U = 1 103 V Ge: er = 16 cimp = 1010 cm d = 0.4 cm - HV + HV - - - - - + + + + - - - + + + - - - - - + + + + p kontakt n kontakt
8
HPGe polovodičové detektory
krystal vysoce čistého Ge (p – typ) cimp < 1010 cm-3 = 2 10-7 ppm zonální čištění nečistoty zůstávají v tavenině indukční cívky
9
HPGe polovodičové detektory
planární konfigurace depleted region
10
HPGe polovodičové detektory
koaxiální konfigurace p-n přechod na vnějším povrchu (vhodnější stačí menší HV) p-n přechod na vnitřním povrchu
11
HPGe polovodičové detektory
koaxiální konfigurace (p-typ) p-n přechod na vnějším povrchu detekuje g s E > 50 keV (kvůli n+ elektrodě na povrchu)
12
HPGe polovodičové detektory
koaxiální HPGe detektor
13
HPGe polovodičové detektory
n + kontakt koaxiální HPGe detektor (p-typ) p + kontakt
14
HPGe polovodičové detektory
15
HPGe polovodičové detektory
137Cs
16
HPGe polovodičové detektory
přirozené pozadí srovnání energetického rozlišení: scintilační detektory (plastický scintilátor, NaI(Tl)) x polovodičové (HPGe x CdZnTe) 40K (1460 keV) 208Tl (2615 keV)
17
HPGe polovodičové detektory
energetické rozlišení (FWHM) E = 122 keV (55Fe EC) R = 0.5 – 1.0 % E = 1333 keV (60Co b-) R = 0.14 – 0.17 % relativní účinnost (% NaI) absolutní vnitřní účinnost
18
Nábojově citlivý předzesilovač
zisk vstupní impedance: výstupní napětí
19
Nábojově citlivý předzesilovač
zisk vstupní impedance: výstupní napětí
20
Šum: scintilační detektory
Poissonovo rozdělení 511 keV g-záření ~ 5000 fotonů emitovaných NaI(Tl) scintilátorem (100 eV/foton) ~ 100 fotonů na fotokatodě (rychlá komponenta) (integrální světelný výstup BaF2 20 / 2 % NaI(Tl)) (120 keV) ~ 3 108 elektronů na anodě (zisk PMT G = 107, kvantová účinnost katody h = 25%), 4 mA max. proud (délka pulsu 30 ns) 0.2 V (pro 50 W vstupní impedanci) fluktuace signálu: elektronický šum lze zanedbat dosažitelný elektronický šum:
21
Šum: polovodičové detektory
511 keV g-záření ~ párů elektron-díra (Ge x = 2.96 eV/e-díra pár) vnitřní rozlišení na energii E = 511 keV (fano faktor F = 0.1) fluktuace signálu: dosažitelný elektronický šum: elektronický šum je dominantní
Podobné prezentace
© 2024 SlidePlayer.cz Inc.
All rights reserved.