Stáhnout prezentaci
Prezentace se nahrává, počkejte prosím
ZveřejnilEduard Němec
1
Diodově buzené pevnolátkové lasery Laserové systémy 2009/2010 Kub 6 1. Laserové diody pro buzení PVL
3
Dvě základní konfigurace
4
Princip polovodičového laseru
5
Schema energetických hladin v heterostrukturním zesilovači
6
Koeficient zesílení, rezonátor
7
Materiály používané pro polovodičové lasery
8
Prostorové rozložení intenzity
9
Diody složené z více emiterů Multiple Stripe Lasers Cíl: Zvýšení výstupního výkonu.
10
Diodová pole pro koncové buzení laserů
11
Nízkovýkonové pole v pouzdře
12
Lineární diodová pole pro stranové buzení
13
Kvazi kontinuální diodová pole
14
Dvoudimenzionální diodová pole Stacked arrays
15
Laserové diody se zdrojem Dioda 20 W s opt. vláknem
16
Lineární 20 W dioda
17
Životnost laserových diod
18
2. Diodově buzené PVL
19
Spektrální vlastnosti výkonových diod
20
Absorpce aktivních materiálů Nd:YAG, Nd:YAP a Nd:YVO4
21
Absorpční vlastnosti Nd:YAG
22
Osově buzené PVL End Pumping
23
Příklady uspořádání
24
Laser s interní generací druhé harmonické
25
Stranově buzené PVL
28
Deskové aktivní prostředí
29
Příklady laserů LDP SSL FJFI LD 200 um, 2 W IO Nd:YAG Slab,Hr/Ar 1x3x5 mm M3M3 M2 M1M1 M4-MQ2,20 x Bragg, 1QW,r=97% r=50 cm Pout 2x120 mW
30
MQW ML Nd:YAG laser LD20 W, 808 nn IO Nd:YAG M3, HR r=10 cm M2,HR R=50 cm F M1M1 M4 MQ 2 1QW,r=97% Pout 75 mW For 13 W abs Autocorr. Curve of CW ML Pulse 15 ps12 ps p =10 ps p =8 ps
31
V-rezonátor
32
Nd:YAG FJFI
33
LDP Cr:LiSAF laser M2M2 M3 L1L1 L2L2 Beam 1 l 2 =840 mm l 1 =48 mm LD, 670 nm, 350 mW 50 um Cr:LiSAF Bea m 2 Bea m 3 M1
34
Energetická bilance PVL s diodovým buzením
35
Kompaktní mikrolasery Viz např. Laserové praktikum FJFI
36
Výkonové systémy viz. např. Osclilátor pro LLNL systém.
37
Stranove buzene slab lasery Prezentace PW08
38
Experimental setup M1 - flat rear mirror, M2 - folding mirror (concave 1-m radius of curvature), M3- flat and wedged output coupler with reflectivity of 30%, LD – laser diode array, AM – active medium slab, SA– saturable absorber, WP-wave plate
39
Active medium and laser diode
40
Passively mode-locked operation Nd:GdVO 4 Threshold 41 A, < 46 A single train 45 A: Ē= 185 ± 7 μJ I = 46 A I = 60 A
41
Závěr LDP SSL nacházejí stále širší uplatnění od nW do KW CW od nJ do 100 J pulzně Od CW do femtosekundových systémů Reference: www Spectra-physics.com Coherent.com highQlaser.com ………..
Podobné prezentace
© 2024 SlidePlayer.cz Inc.
All rights reserved.