Impulzní pevnolátkové nanosekundové lasery Laserové systémy 2003/04 P1.

Slides:



Advertisements
Podobné prezentace
Mikrovlnná integrovaná technika (M I T)
Advertisements

Základní experimenty s lasery
V-A charakteristiky polovodičových diod
Zdroje záření tepelný zdroj výbojky elektroluminiscenční diody lasery.
Měření charakteristik pevnolátkového infračerveného Er:YAG laseru
Základní typy signálů Základní statistické charakteristiky:
Sluneční elektrárna.
Laserová činnost a Q-spínání v rovnicích Pavel Arátor
Kvantové fotodetektory a optoelektronické přijímače X34 SOS 2009
Pikosekundové pevnolátkové lasery
SOŠO a SOUŘ v Moravském Krumlově
Mikrovlnné rezonanční obvody
DTB Technologie obrábění Téma 4
KEE/SOES 10. přednáška Moderní technologie FV článků Umělá fotosyntéza
Miroslav Luňák Vlastnosti vrstev a struktur na bázi a-Si:H
Polovodičové lasery s kvantovými tečkami
Budoucnost mikroelektroniky „ve hvězdách“ ….... spintronika jednou z možných cest.
Mikrovlnná integrovaná technika (M I T)
Lukáš Král Laser mezi hvězdami.
Laser (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) zesilování světla stimulovanou emisí záření Tadeáš Trunkát 2.U.
KEE/SOES 7. přednáška Vlastnosti FV článků Ing. Milan Bělík, Ph.D.
Tematická oblast: Hardware, software a informační sítě
Proč stavíme super výkonné lasery? Lenka Scholzová březen 2015 citt.
Fotovoltaický jev, fotovoltaické články a jejich charakteristiky
Detekce pozice Lukáš Pawera polohově citlivé detektory (PSD)
Anihilace pozitronů v polovodičích záchyt pozitronů ve vakancích mechanismy uvolnění vazebné energie: 1. tvorba páru elektron-díra 2. ionizace vakance3.
Anihilace pozitronů v polovodičích záchytový model pro V -
HPT deformovaná Cu, p = 6 GPa, N = 15 střed ( r = 0 )okraj ( r = 3.5 mm ) Záchyt pozitronů v dislokacích t r.
Optické kabely.
Integrovaná optoelektronika Ing.Vítězslav Jeřábek, CSc SOS 2007
Veronika Pekarská ČVUT - Fakulta biomedicínského inženýrství
Postavte si Nd:YAG laser
Postavte si Nd:YAG laser
Jaroslav Švec Ondra Horský Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti.
Závislost odrazivosti na indexu lomu MateriálIndex lomu Odrazivost (%) Minerální čočky 1,525 1,604 1,893 4,32 5,38 9,53 Plastové čočky 1,502 1,597 1,665.
Optické zesilovače SLA Semiconductor Laser Amplifier injekční polovodičový zesilovač EDFA Erbium-Doped Fiber Amplifier dielektrický zesilovač s erbiem.
Detektory nabitých částic a jader
Fotodetektory pro informatiku X34 SOS semináře 2008
Laserový telefon Otto Hartvich Michal Farník Dagmar Bendová.
Využití energie Slunce
Fotočlánky Fotoelektrický jev byl poprvé popsán v roce 1887 Heinrichem Hertzem. Pozoroval z pohledu tehdejší fyziky nevysvětlitelné chování elektromagnetického.
Tato prezentace byla vytvořena
Diodově buzené pevnolátkové lasery Laserové systémy 2009/2010 Kub 6 1. Laserové diody pro buzení PVL.
Přeladitelné lasery, optické parametrické generátory a ramanovské lasery Laserové systémy
Scintilační detektory lineární odezva na energii rychlá časová odezva diskriminace podle tvaru pulsů.
GENERACE A ZESILOVÁNÍ ULTRAKRÁTKÝCH LASEROVÝCH PULSŮ
BARVIVOVÉ LASERY Vypracovali: A. Pavelka R. Kusák P. Maršíková
Princip laseru Zdrojem energie (např. výbojka) je do aktivního média dodávána energie. Ta energeticky vybudí elektrony aktivního prostředí ze zákl. energetické.
ZF2/5 Polovodičové optické prvky
Parametry záření z laserové zubní vrtačky a její použití Vypracoval : Filip Janda Garant : Ing. Michal Němec Ph.D.
Brno University of Technology What should we do?.
Michal Schnürch. Úvod Kde všude Laser najdeme Co to Laser je a jak funguje Zkoumaný Laserový systém (obecně) Jednotlivá měření Závěr.
Lasery made by Aleš Glanc and Vlastimil Zrůst.
Fotonásobič vstupní okno zesílení typicky:
IEAP – CTU Prague 3D detektory - radiační odolnost, elektrické a laser testy Tomáš Slavíček, Cinzia Da Via, Vladimír Linhart.
Měření transmise optických a laserových materiálů Irena Havlová Štěpánka Mohylová Lukáš Severa Vladimír Sirotek.
TECHNOLOGIE POLOVODIČŮ VYTVOŘENÍ PŘECHODU PN. SLITINOVÁ TECHNOLOGIE PODSTATA TECHNOLOGIE ZÁKLADNÍ POLOVODIČ S POŽADOVANOU VODIVOSTÍ SE SPOLEČNĚ S MATERIÁLEM,
Stanovení součinitele tepelné vodivosti 2015 BJ13 - Speciální izolace Vysoké učení technické v Brně Fakulta stavební Ústav technologie stavebních hmot.
LIBS Laser-Induced Breakdown Spectroscopy Spektrometrie laserem buzeného plazmatu.
Cesta k vědě Návrh polymerních optických planárních vlnovodů pro systém FTTH D. J. Gymnázium Christiana.
Compact Disc CD Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem, státním rozpočtem České republiky a rozpočtem Hlavního města Prahy.
Moderní poznatky ve fyzice
Stanovení součinitele tepelné vodivosti
II. Kvantové heterostruktury
Laserové skenování 3D záznam tvarů objektů dopadem laserového paprsku na předmět a detekce odraženého záření – intenzita a směr, složení obrazu z velkého.
VY_32_INOVACE_ Optické snímače
Vzduchové clony DoorMaster Comfort C a D
Vendula Kucharčíková Zuzana Šiková Štěpán Timr
Kvantová fyzika.
Miniprojekt 8 Základní experimenty s lasery
Transkript prezentace:

Impulzní pevnolátkové nanosekundové lasery Laserové systémy 2003/04 P1

Laserové impulsy Maiman 1960 : rubínový laser 200 us/div 5 us/div ns impulsy – Q spínání Ps a fs impulsy-mode locking

Atraktivita krátkých impulsů Délka světelného balíku ve vakuu: 1 ns ~ 30 cm 1 ps ~0.3 mm 1 fs ~ 0.3 um Výkon pro energii 1 J v impulsu 1 ns ~ 1 GW 1 ps ~ 1 TW 1 fs ~ 1 PW Rychlost šíření c

Metody generace Modulace : A. Vnější B. Vnitřní Nízká účinnost, ztráta energie mezi impulsy Nízký špičkový výkon=kontinuální Spínání zisku Spínání činitele jakosti Otevíráni dutiny Módová synchronizace B.A. Saleh, M.C. Teich, Fundamentals of Photonics, John Wiley, 1991 Základy fotoniky 3, Matfyzpress.

Vydělování vnější závěrkou Zkracování impulsu

Q-spínání Spínání činitele jakosti

Spínání zisku Gain switching

Otevírání dutiny Cavity dumping

Pasivní Q-spínání

Pevnolátkové absorbéry Cr:YAG Li:SAF Semiconductor elements with multiple quuntum wells

Cr doped YAG SA

Polovodičový absorbér LTGa As (n=3.49) Al As (n= 2.94) GaAs LTInGaAs (n= 3.2) 20pairs GaAs 400 um InGaAs Substrate QW 15 nm AlAs 90.5nm GaAs 76.2nm BraggMirror GaAs 61 nm AlAs 90.5nm R>97% Run#870,MQ2 Vyrobeno v Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, USA

Optické parametry absorbéru 1. Spektrální charakteristika pro malý signál 2. Úhlová závislost transmise 3. Nelineární transmise

složením a tloušťkou vrstev a teplotou růstu a žíhání lze ovlivnit parametry vzorku jako saturační intensitu a relaxační dobu Výhody oproti barvivám: –Chemická stabilita –Neomezená životnost –Zdravotní nezávadnost –Snadná manipulace Výhody polovodičových absorbérů

Optické parametry absorbéru 1. Spektrální charakteristika pro malý signál 2. Úhlová závislost transmise 3. Nelineární transmise

Cavity dumping-pulsed

Cavity dumping-cw

Cavity dumping-single pulse Nd:YAG Pol PC1 M2 MQW PC2 M1

Příklady nanosekundových laserů Firmy Continuum Quantel Eksma ……