1 Měření vlastností pixelových detektorů
2 Detektor ATLAS
3 Pixel detector 160 cm 37 cm Barrel region Disk region
4 P - N přechod Koncentrace elektronů a děr Náboj vázaný v mřížce Elektrické pole Potenciál
5
6 Mini chip Single chip Diode with guardring Oxid test structure
7 Pixely Wafer CIS Wafer TESLA
8 APARATURA
9 Sesazovací znaky
10 Kontrola sesazení Nepřesnost sesazení: -1,5 μm
11 C-V na diodách s guardringem V dep ~ 80V
12 I-V na diodách s guardringem
13 3T - tiles
14 I-V na oxide test structure
15 Závislost závěrného proudu Damage parameter a = I/Volume/Fluency a = 4 * A/cm N eq /cm 2 * V fd [V] I SC [µA] I MC [µA]
16 I-V: ozářené Single Chipy
17 I-t měření Měření se provádí na tilech. Vysoké napětí je nastaveno na –V op. Proud je zaznamenáván každých 10 s nejméně po dobu 54000s (15h). Maximální proud se nastavuje na 20 μA. 15 hodin 10 dní
18 Telescope bar schéma live
19 Princip měření na telescope bar beam Stripové detektory Pixelový detektor –Single chip ~ 3 m Místo průletu částice Střed pixelu extrapolace
20 Profil svazku H8 ~ 10 7 protons at 450 GeV/c pi+ at 200 GeV/c pi- at 200 GeV/c ~ 10 6 Pb at 400 GeV/Z
21 Charge collection efficiency Redukovaná účinnost sběru náboje v místech připojení bias grid Bias grid
22 Rozlišení – klíčový parametr x = 400 m y = 50 m 2hit ~ 20 m rovnoměrné rozdělení x = 115,4 m y = 14,4 m 2hit ~ 5,7 m
23 Rozlišení x = 400 m y = 50 m 2hit ~ 20 m 2hit 1hit hit = 14,1315 m = 6,0865 m
24 Shrnutí Skupina ve FzU se účastní jak měření dat v laboratorních podmínkách tak měření na svazku Vyráběné detektory TESLA a CiS mají projektované parametry V současné době je Si laboratoř připravena na měření standardní produkce pro ATLAS