Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

November 2011Václav Vrba, Institute of Physics, Prague 1 Václav Vrba, Fyzikální ústav AV ČR R&D proposal: Development of silicon detectors.

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "November 2011Václav Vrba, Institute of Physics, Prague 1 Václav Vrba, Fyzikální ústav AV ČR R&D proposal: Development of silicon detectors."— Transkript prezentace:

1 November 2011Václav Vrba, Institute of Physics, Prague 1 Václav Vrba, Fyzikální ústav AV ČR R&D proposal: Development of silicon detectors

2 November 2011Václav Vrba, Institute of Physics, Prague 2 Physics prototype - sensors

3 Two Si sensor vendors : ON Semiconductor Si wafer specifications: Wafer diameter: 4” Thickness: 525  m N-type, resistivity ≥ 5 k  cm Sensor array: 36 pads of 1x1 cm 2 Guard ring area + scribe line area: 1 mm I-V curves AIDA Kick Off, CERN,16th February Václav Vrba, Institute of Physics Prague


Stáhnout ppt "November 2011Václav Vrba, Institute of Physics, Prague 1 Václav Vrba, Fyzikální ústav AV ČR R&D proposal: Development of silicon detectors."

Podobné prezentace


Reklamy Google