Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu.

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu."— Transkript prezentace:

1 Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu

2 Orbis pictus 21. století Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky Tranzistory II. Tranzistory II. Obor:Elektrikář Ročník: 1. Vypracoval:Ing. Jiří Šebesta, Ph.D.

3  Aplikace unipolárních tranzistorů  Značení tranzistorů do značné míry závisí na konkrétním výrobci, přesto většina dodržuje ustálená pravidla.  Typ tranzistoru:  B, K (tranz. Tesla), S = křemíkový tranzistor (bipol. i unipolární)  A, G (tranz. Tesla) = germaniový tranzistor

4  Značení tranzistorů  Značení tranzistorů do značné míry závisí na konkrétním výrobci, přesto většina dodržuje ustálená pravidla.  Typ tranzistoru:  B, K (tranz. Tesla), S = křemíkový tranzistor (bipol. i unipolární)  A, G (tranz. Tesla) = germaniový tranzistor

5  Oblast použití  C = nízkofrekvenční nízkovýkonové  D = nízkofrekvenční výkonové  F = vysokofrekvenční nízkovýkonové  L = vysokofrekvenční výkonové  S = spínací nízkovýkonové  U = spínací výkonové  Rozsah významného parametru definuje rozsah hodnot daného parametru, např. proudového zesilovacího činitele  Např. BC547A je nf. nízkovýkonový bipolární tranzistor NPN s h 21E v rozsahu 110 až 220, BC547B je tentýž tranzistor avšak s h 21E v rozsahu 200 až 450 a BC547C je opět tentýž tranzistor avšak s h 21E v rozsahu 420 až 800.

6  Ukázky značení tranzistorů  BC = nízkofrekvenční nízkovýkonový bipolární tranzistor PNP pro všeobecné použití (General Purpose) s h 21E v rozsahu 100 až 250.  BD241C = nízkofrekvenční výkonový bipolární tranzistor NPN s U CEmax = 100 V (zde rozšiřující písmeno udává parametr maximálního napětí mezi kolektorem a emitorem, např. tranzistor BD241A má U CEmax = 60 V).  BF199 = vysokofrekvenční nízkovýkonový bipolární tranzistor NPN (tranzitní frekvence je 550 MHz).  KSY34 = spínací nízkovýkonový bipolární tranzistor NPN pro průmyslové všeobecné použití (Y = průmyslové apli- kace), který vyráběla Tesla.  BU2520 = spínací výkonové bipolární tranzistor PNP (vysokonapěťový – používá se v televizorech ve zdrojích vysokého napětí).

7  Speciální typy bipolárních tranzistorů  Darlingtonův tranzistor  U výkonových bipolárních tranzistorů se dosahuje poměrně malého proudového zesilovacího činitele, důsledkem je potřeba velkého budícího proudu (např. u výkonového nf. zesilovače).  Darlingtonův tranzistor obsahuje v jednom pouzdru dva tranzistory – budící a výkonový (se zapojením podle obrázku).

8  Kolektorový, resp. emitorový, proud budícího tranzistoru je řízen menším proudem do báze, v poměru s jeho proudovým zesilovacím činitelem h 21E-T1. Emitorový proud budícího tranzistoru pak napájí bázi výkonového tranzistoru a opět v poměru s proudovým zesilovacím činitelem h 21E-T2 výkonového tranzistoru je zvětšený jeho kolektorový proud (většinový proud celého tranzistoru). Pro celkový proudový zesilovací činitel Darlingtonova tranzistoru h 21Ecelk platí:  Schématická značka Darlingtonova tranzistoru :

9  Příklad katalogového listu Darlingtonova tranzistoru BDX34

10  Fototranzistor  U fototranzistoru je místo buzení báze proudem vyvolán řídící proud působením fotonů, ve výstupní charakteristice je pak místo parametru bázového proudu definována intenzita osvětlení E v Luxech.

11  Pracovní bod unipolárního tranzistoru  Stejně jako u bipolárních tranzistorů je nutno u unipolárních tranzistorů nastavit pracovní bod, který se nastavuje stejnosměrným předpětím U GS.  Toto předpětí může být kladné i záporné podle typu unipolárního tranzistoru.  Základní vlastností unipolárních tranzistorů je jejich velký vstupní odpor (izolace mezi hradlem a kanálem) a proud hradla je tak prakticky nulový.  Na odporu R G pak není žádný úbytek a napětí U GS = U G.

12  U ochuzovacího typu FET tranzistoru je nutné vytvořit pracovní bod záporným předpětím.  Toho se dá docílit tak, že do obvodu emitoru (source S) zařadíme rezistor R S. Na něm vzniká úbytek napětí U RS = I S  R S.  Protože do hradla neteče žádný proud, úbytek napětí na odporu R G je nulový a U GS = U RS (jen znaménko je otočené – získáme záporné předpětí).  Hodnota odpor R G pak určuje celkový vstupní odpor zapojení, odpor přechodu R GS dosahuje jednotek až stovek M .

13  Příklad zesilovače s ochuzovacím typem FET tranzistoru  Pracovní bod tranzistoru P (viz následující stránka) je zvolen tak, aby zesilovaný signál nebyl zkreslen – nacházel se uprostřed lineární oblasti převodní charakteristiky.  Pracovní bod je nastaven pomocí rezistoru R S na hodnotu U GS = 4 V (znaménko je otočené):

14  Vpravo je výstupní charakteristika, vlevo převodní  Modrá přímka ve výstupní charakteristice definuje odpor R D a představuje zatěžovací přímku. V pracovním bodě je napětí U DS =

15 = 28 V. Napětí na rezistoru RD pak musí být:  Proud I D je proud kanálem a současně i rezistory R D a R S a jeho hodnota je 16 mA:  Převodní charakteristiku sestrojíme tak, že průsečíky zatěžovací přímky s výstupními charakteristikami přeneseme do levého grafu pro příslušná řídící napětí U GS (oranžový, fialový, růžový a zelený bod).  Pracovní bod by pak měl být uprostřed lineární oblasti převodní charakteristiky tak, aby mohl být co největší rozkmit

16  Na vstupu je pro daný pracovní bod maximální rozkmit bez zkreslení asi 4 V (od - 6 V do - 2 V), na výstupu to odpovídá rozkmitu 10 V (U DS je od 23 V do 33 V), napěťové zesílení tohoto zesilovače je

17 Děkuji Vám za pozornost Jiří Šebesta Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010


Stáhnout ppt "Orbis pictus 21. století Tato prezentace byla vytvořena v rámci projektu."

Podobné prezentace


Reklamy Google