Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Implantační profil monoenergetrických pozitronů monoenergetické pozitrony o energii E 2 keV 3 keV 4 keV 5 keV 7 keV 10 keV depth (nm) 0100200300400 P(z)

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "Implantační profil monoenergetrických pozitronů monoenergetické pozitrony o energii E 2 keV 3 keV 4 keV 5 keV 7 keV 10 keV depth (nm) 0100200300400 P(z)"— Transkript prezentace:

1 Implantační profil monoenergetrických pozitronů monoenergetické pozitrony o energii E 2 keV 3 keV 4 keV 5 keV 7 keV 10 keV depth (nm) P(z) implantační profil pozitronů do Al 1 keV střední hloubka průniku:

2 Svazek pomalých pozitronů s laditelnou energií studium tenkých vrstev studium hloubkového profilu defektů měření zpětné difůze pozitronů

3 charakterizace defektů na svazku pozitronů s laditelnou energií střední difúzní délka pozitronu: L + = (151  4) nm povrchový stav anihilace v Pd vrstvě Charakterizace defektů v Pd

4 charakterizace defektů na svazku pozitronů s laditelnou energií plastická deformace  nárůst S, zkrácení L + Charakterizace defektů v Pd

5 charakterizace defektů na svazku pozitronů s laditelnou energií nanokrystalický Pd film – záchyt pozitronů v misfit defektech na hranicích zrn Charakterizace defektů v Pd

6 (1120  20) nm (TEM) na povrchu deponována Pd vrstva (20 nm) tloušťka (1100  50) nm (profilometrie) 1.10  m Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem

7 sloupcovité krystality šířka  50 nm

8 Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm E (keV) S x H = Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem

9 Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem

10 Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem

11 Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem

12 Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem

13 Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem

14  x H = 0.06  Hydrogen in thin films – VEPAS Nb film o tloušťce 1.1  m pokrytý Pd vrstvou o tloušťce 20 nm Tenké vrstvy Nb dopované vodíkem absorpce vodíku na hranicích zrnnové defekty vytvořené při vzniku hydridu

15 Měření zpětné difůze pozitronů měření difůzní délky L + pozitronu ve studovaném materiálu přítomnost defektů  zkrácení L + koncentrace defektů: L +,B – difůzní délka pozitronů v bezdefektním materiálu – specifická záchytová rychlost

16 Měření zpětné difůze pozitronů komponenta od volných pozitronů nemůže být rozlišena ve spektru dob života pozitronů, když její intenzita je I 1 < 5% (saturovaný záchyt) odpovídá to koncentraci vakancí c V > 2  příklad: vakance v FeAl slitinách měření doby života pozitronů difůzní délku pozitronů není možné zjistit pokud L + < 1 nm měření zpětné difůze pozitronů odpovídá to koncentraci vakancí c V > 7  10 -2

17  2 vakance dvou-komponentní spectrum:  1 – volné pozitrony  2 – pozitrony zachycené ve vakancích  1 volné pozitrony V Fe teorie c Al  26 at.%  saturovaný záchyt  f experiment  B teorie Zakalené slitiny Fe-Al – měření doby života pozitronů

18 doba života  2 pozitronů zachycených ve vakancích Zakalené slitiny Fe-Al – měření doby života pozitronů

19 Zakalené slitiny Fe-Al – měření na svazku pomalých pozitronů

20

21

22

23

24 (i) oxid na povrchu nm (ii) Fe-Al slitina Zakalené slitiny Fe-Al – měření na svazku pomalých pozitronů

25 c Al (%) S/S S parametr c Al (at %) `L + (nm) L +,B difůzní délka pozitronů koncentrace vakancí narůstá s rostoucím obsahem Al Zakalené slitiny Fe-Al – měření na svazku pomalých pozitronů s rostoucím obsahem Al klesá L + a narůstá S

26 Fe 75 Al 25 : měření doby života pozitronů: c V = (7.0 ± 0.5)  měření zpětné difůze: c V = (5 ± 1)  c Al (at.%) cVcV LT spectroscopy VEPAS Zakalené slitiny Fe-Al – koncentrace vakancí

27

28 Měření doby života na svazku pozitronů využití sekundárních elektronů Wuhan University, Čína Wu et al. Appl. Surf. Sci. 252, 3121 (2006) časové rozlišení  500 ps, energie 0.5 – 30 keV


Stáhnout ppt "Implantační profil monoenergetrických pozitronů monoenergetické pozitrony o energii E 2 keV 3 keV 4 keV 5 keV 7 keV 10 keV depth (nm) 0100200300400 P(z)"

Podobné prezentace


Reklamy Google