Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Nový přístup k elektronickým součástkám Jan Vobecký katedra mikroelektroniky fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze.

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "Nový přístup k elektronickým součástkám Jan Vobecký katedra mikroelektroniky fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze."— Transkript prezentace:

1

2 Nový přístup k elektronickým součástkám Jan Vobecký katedra mikroelektroniky fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze

3  Aplikačně specifické součástky  Charakteristiky pro určený režim již od výrobce Návrh elektron. obvodu musí brát v úvahu • změny parametrů součástek • interakci mezi součástkami Výrobce součástekNávrhář aplikací Rostoucí nároky na užitnou hodnotu polovodičových součástek vyžadují integraci návrhu součástky a návrhu obvodu © Jan Vobecký 2003

4 Trendy výkonových součástek © Jan Vobecký 2003

5 Trendy výkonových součástek NOVÉ PŘÍSTUPY Tato přednáška © Jan Vobecký 2003

6 Dříve

7 © Jan Vobecký 2003 Nyní

8 © Jan Vobecký 2003 Nyní

9 © Jan Vobecký 2003 R U

10 R U I

11 R U I

12 R U I

13 R U I

14 R U I

15 Komutace diody

16 © Jan Vobecký 2003 Komutace diody I RRM

17 © Jan Vobecký 2003 Komutace diody

18 © Jan Vobecký 2003 Komutace diody

19 © Jan Vobecký 2003 Komutace diody

20 © Jan Vobecký 2003 I F = 100A Soft Recovery vs. Snappy Recovery I F = 100A

21 dI/dt   Napětí, proud (kV, kA) Čas (  s) U = -L. dI/dt   © Jan Vobecký 2003 Snappy Recovery (Switching)

22 © Jan Vobecký 2003 Snappy vs. Soft Switching

23 © Jan Vobecký 2003 Plasma Engineering Emitter Engineering Speciální návrh dotačního profilu Lifetime Engineering Zanesení vhodného profilu rekombinačních center  změna doby života (Lifetime) EMITTER CONTROLLED

24 © Jan Vobecký 2003 Globální řízení doby života - ozařování elektrony elektrony SNAPPY!!! Rekombinační centra nosiče

25 © Jan Vobecký 2003 Lokální řízení doby života - ozařování H +, He ++ protony nebo alfa částice Rekombinační centra nosiče SOFT SWITCHING! U F = 1.65V !

26 NEOZÁŘENO © Jan Vobecký 2003 Statické parametry  zhoršení Sepnutý stav

27 © Jan Vobecký 2003 Low Reverse Recovery Charge Q rr NEOZÁŘENO Q rr OZÁŘENO

28 © Jan Vobecký 2003 VRVR DUT L LSLS IFIF t1t1 VRVR S 1 t 1 L s I F R,  nI RR V RR I RR IFIF t rr tata tbtb t1t1 IFIF tata tbtb I RR nI RR V RR VRVR t1t1 t rr Základní komutační režimy “Inductive” Switching “Resistive” Switching

29 © Jan Vobecký VRVR IFIF t1t1 DUT L C clamp S1S1 D clamp R charge LsLs Clamped Inductive Switching •35A/cm 2 /  s •T j = 125 °C •V DC = 3.3 kV •snubberless -5000

30 © Jan Vobecký 2003 VRVR IFIF t1t1 DUT L S1S1 R charge LSLS C clamp D clamp Voltage Snubber Voltage Clamp Current Snubber Current Clamp Clamps & Snubbers C snubber R snubber

31 © Jan Vobecký 2003 IInductive, Unclamped, C-Snubbered IIInductive, Unclamped, R-Snubbered IIIResistive, Unclamped, Unsnubbered IVInductive, Unclamped, RC-Snubbered VInductive, Clamped, Unsnubbered VIInductive, Unclamped, Unsnubbered Aplikační kategorie výkonových diod s rychlým zotavením Aplikačně specifické diody !!!

32 © Jan Vobecký 2003 Easy paralleling ?

33 © Jan Vobecký 2003 Paralelní řazení TK U F > 0  (T) TK U F < 0  -2 mV/K U BI (T)

34 © Jan Vobecký 2003 Paralelní řazení VĚTŠÍ SPOLEHLIVOST PŘI PŘETÍŽENÍ !!!

35 © Jan Vobecký 2003 Paralelní řazení TK U F < 0

36 © Jan Vobecký 2003 Závěr


Stáhnout ppt "Nový přístup k elektronickým součástkám Jan Vobecký katedra mikroelektroniky fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze."

Podobné prezentace


Reklamy Google