Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Prezentace se nahrává, počkejte prosím

Paměti RAM.

Podobné prezentace


Prezentace na téma: "Paměti RAM."— Transkript prezentace:

1 Paměti RAM

2 Co je to RAM? Paměť s přístupem do libovolné buňky
Nepřesně používaný pojem RAM = RWM ROM – jen pro čtení Velmi rychlé a drahé (cena za 1b) Energeticky závislá – po vypnutí pc se vymaže

3 Historie Pásková magnetická paměť – r.1951
Dynamická RAM - Robert Dennard r.1967 Prvovýroba čip Intel 1103, kapacita 1kbit, cena 200$ 1972 – nasazena do počítače HP 9800, vyrobeno již přes ks Postup výroby dodnes stále stejný

4 Základní princip DRAM Nabíjení kondenzátoru
Svodový odpor vybíjí kondenzátor – nutný refresh Obnova několik set krát za sekundu

5 Základní princip SRAM BKO se dvěma stavy – schopný setrvávat v jednom ze stavů, dokud není zvenku přinucen překlopit se do stavu druhého Není nutný refresh

6 Pojmy SPD – uložení konfigurace pamětí
JEDEC – organizace vydávající standarty FSB – vnější systémová sběrnice

7 Rozdělění Statická RAM – nejrychlejší, velký odběr, drahá, cache paměti Dynamická RAM – nutné refresh obvody, odběr cca 5W, levnější, operační paměti

8 Typy operačních pamětí
FPM r.1987 asynchronní rychlost přístupu 50ns EDO r.1995 do 66Mhz SIMM(72pin) a DIMM(168pin) moduly, 3.3 nebo 5V

9 SDR SDRAM PC66 – PC133 pracovní frekvence: 66 – 133 MHz
propustnost: MB/s 168 pinů napájecí napětí: 3.3 V Reaguje na nástupnou hranu

10 RDRAM vývoj Intel + Rambus nerozšířili se - drahé
pracovní frekvence: MHz propustnost: 1200 – 2400 MB/s (v případě dvou kanálů a 242pin verze až 4,8GB/s) 184 pinů napájecí napětí: 1.8 V

11 DDR SDRAM pracovní frekvence: 200 – 400 MHz efektivně
propustnost: 1,6 - 3,2 GB/s 184 pinů napájecí napětí: 2.5 V (2.6 V pro DDR400) reaguje i na sestupnou hranu rozšířené

12 DDR II pracovní frekvence: 400 – 800 MHz efektivně
propustnost: 3.2 – 6.4 GB/s 240 pinů napájecí napětí: 1.8 V (maximálně 1.9 V)

13 DDR3,GDDR4,GDDR5 DDR3 GDDR4,GDDR5
pracovní frekvence 800 – 1600 MHz efektivně propustnost 6.4 GB/s – 12.8 GB/s 240 pinů napájecí napětí 1.5 V GDDR4,GDDR5 Stále ve vývoji G=Graphic GDDR4 do výkonných grafických karet GDDR5 ve vývoji

14 Latence a časování Důležité hodnoty: Prodlevy mezi jednotlivými akcemi
Uloženy v SPD čipu Hodnot časování existuje cca 40 – možnost nastavení pouze v BIOSech high-end základních desek Důležité hodnoty: tRP – doba po Precharge k vyslání adresy řádku tRAS – doba po kterou řádek musí zůstat aktivní tRCD – doba po výběru řádku k aktivaci sloupce CL – stabilizační doba po výběru buňky Command Rate – prodleva při komunikaci řadiče s pamětmi

15 Bank Interleaving: Pamět dělená do segmentů - banka
Prokládaný přístup – v jednom segmentu obnovení dat, do druhého vyslání adresy V moderním BIOSu trvale zapnutý Dvoucestné nebo čtyřcestné

16 Vliv na výkon systému Ovlivnění časováním a přetaktováním u her v řádech fps U specifických aplikací ovlivnění až o 20% U CPU technologie Core není časování tak důležité jako u NetBurst Vyšší kapacita není úměrná vyššímu výkonu


Stáhnout ppt "Paměti RAM."

Podobné prezentace


Reklamy Google